详情

原文传递芯片的制造方法

专利名称：	芯片的制造方法
摘要：	提供芯片的制造方法，不使用扩展片而能够对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。该芯片的制造方法包含如下的步骤：第1激光加工步骤，按照将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于第1深度的位置的方式沿着分割预定线仅对芯片区域照射激光束，沿着芯片区域的分割预定线形成第1改质层；第2激光加工步骤，按照将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于第2深度的位置的方式沿着分割预定线照射激光束，形成端部与外周剩余区域重叠的第2改质层；以及分割步骤，对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个芯片，在分割步骤中，通过加热和冷却来赋予力而将被加工物分割成各个芯片。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	日本;JP
申请人：	株式会社迪思科
发明人：	淀良彰;赵金艳
专利状态：	有效
申请号：	CN201811080404.0
公开号：	CN109531838A
代理机构：	北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：	于靖帅;乔婉
分类号：	B28D5/00(2006.01)I;B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	日本东京都
主权项：	1.一种芯片的制造方法，从具有芯片区域和围绕该芯片区域的外周剩余区域的被加工物制造出多个芯片，所述芯片区域由交叉的多条分割预定线划分成将要成为该芯片的多个区域，该芯片的制造方法的特征在于，具有如下的步骤：保持步骤，利用保持工作台直接对被加工物进行保持；第1激光加工步骤，在实施了该保持步骤之后，按照将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该保持工作台所保持的被加工物的内部的第1深度的位置的方式沿着该分割预定线仅对被加工物的该芯片区域照射该激光束，沿着该芯片区域的该分割预定线形成第1改质层，并且将该外周剩余区域作为未形成该第1改质层的加强部；第2激光加工步骤，在实施了该保持步骤之后，按照将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该保持工作台所保持的被加工物的内部的与该第1深度不同的第2深度的位置的方式沿着该分割预定线照射该激光束，沿着该分割预定线形成第2改质层，该第2改质层比该第1改质层长并且端部与该外周剩余区域重叠；搬出步骤，在实施了该第1激光加工步骤和该第2激光加工步骤之后，将被加工物从该保持工作台搬出；以及分割步骤，在实施了该搬出步骤之后，对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个该芯片，在该分割步骤中，通过加热和冷却来赋予该力而将被加工物分割成各个该芯片。
所属类别：	发明专利