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原文传递芯片制造过程中的缺陷检测方法

专利名称：	芯片制造过程中的缺陷检测方法
摘要：	本发明公开了一种芯片制造过程中的缺陷检测方法，包括：步骤一、在版图设计阶段设计出芯片制造过程中各工艺层的原点对准标记；步骤二、进行芯片制造并依次形成各工艺层，每一工艺层完成之后需进行缺陷检测；包括分步骤：步骤21、确定当前工艺层的原点坐标；步骤22、进行缺陷检测得到当前工艺层的第一缺陷分布图；步骤23、判断当前工艺层是否具有前一层工艺层；如果没有前一层工艺层，则以第一缺陷分布图作为当前工艺层的最终缺陷分布图；如果具有前一层工艺层，则以第一缺陷分布图扣除前层工艺层的最终缺陷分布图得到当前工艺层的最终缺陷分布图。本发明能将排除当前工艺层中的前层工艺层的缺陷，能降低当前工艺层的缺陷分析成本。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人：	吴苑
专利状态：	有效
申请号：	CN201811144002.2
公开号：	CN109211924A
代理机构：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：	郭四华
分类号：	G01N21/88(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
主权项：	1.一种芯片制造过程中的缺陷检测方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在版图设计阶段设计出芯片制造过程中各工艺层的原点对准标记，所述原点对准标记的在芯片中的位置相同，所述原点对准标记用于在对应的工艺层的缺陷检测过程中定义出原点坐标；步骤二、进行芯片制造并依次形成各工艺层，每一所述工艺层完成之后需进行缺陷检测；缺陷检测的分步骤包括：步骤21、令所述缺陷检测对于的工艺层为当前工艺层；根据所述当前工艺层的原点对准标记确定所述当前工艺层的原点坐标；步骤22、进行所述缺陷检测得到所述当前工艺层的第一缺陷分布图；步骤23、判断所述当前工艺层是否具有前一层工艺层；如果没有前一层工艺层，则以步骤22得到的第一缺陷分布图作为所述当前工艺层的最终缺陷分布图；如果具有前一层工艺层，则令所述当前工艺层的前一层工艺层为前层工艺层，则以步骤22得到的所述第一缺陷分布图扣除所述前层工艺层的最终缺陷分布图得到所述当前工艺层的最终缺陷分布图；以所述当前工艺层的最终缺陷分布图作为所述当前工艺层的缺陷检测结果。
所属类别：	发明专利