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准一维金属氧化物纳米材料生物传感器及其制作方法
| 专利名称： | 准一维金属氧化物纳米材料生物传感器及其制作方法 |
| 摘要： | 本发明涉及准一维金属氧化物纳米材料生物传感器及制作方法，传感 器包括硅片、生长于硅片上的二氧化硅氧化层、栅极、源极、漏极和微流 体通道，由准一维金属氧化物半导体纳米材料连接源极和漏极，构成导电 沟道。其工艺是：先合成准一维金属氧化物半导体纳米材料；再采用微纳 光刻蚀标准工艺及自下而上的方法制作准一维金属氧化物半导体纳米材料 及其阵列的场效应晶体管；利用聚二甲基硅氧烷制作出微流体通道；最后 对准一维金属氧化物半导体纳米材料进行表面改性，通过自组装的方法修 饰与目标分子结合的连接物单分子层，通过连接物分子在纳米材料表面连 接生物分子，用以检测疾病的标志性分子。具有快速响应、灵敏度高、选 择性强、无标记分子等特点。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 江苏;32 |
| 申请人： | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 发明人： | 张蓓蓓;苏瑞巩;刘海滨;李 宁;程国胜 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2009-03-19T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200910030340.8 |
| 公开号： | CN101592626 |
| 代理机构： | 南京苏科专利代理有限责任公司 |
| 代理人： | 陈忠辉 |
| 分类号： | G01N27/327(2006.01)I |
| 申请人地址： | 215125江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 |
| 主权项： | 1.准一维金属氧化物纳米材料生物传感器，包括硅片、生长于硅片 上的二氧化硅氧化层、栅极、源极、漏极和微流体通道，其特征在于：由 准一维金属氧化物半导体纳米材料连接源极和漏极，构成导电沟道；所述 准一维金属氧化物半导体纳米材料的表面通过自组装修饰有与目标分子 结合的连接物单分子层，所述连接物单分子层与生物探针分子连接；另外， 由所述微流体通道掩盖栅极、源极和漏极。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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