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一种金属氧化物半导体气体传感器及其制作方法
| 专利名称： | 一种金属氧化物半导体气体传感器及其制作方法 |
| 摘要： | 本发明涉及一种金属氧化物半导体气体传感器及其制作方法，包括：由下往上依次层叠的微热盘、绝缘隔离层和敏感电极，以及覆盖在敏感电极上方的气体敏感材料，敏感电极位于微热盘表面的绝缘隔离层上方，包括：第一敏感电极、第二敏感电极和悬置敏感电极，悬置敏感电极位于第一敏感电极和第二敏感电极之间。本发明提供的一种金属氧化物半导体气体传感器，通过在两敏感电极之间引入悬置敏感电极，改善了电场强度分布、微热盘发热区的温度分布、气体传感器的灵敏度和气体传感器长期稳定性，该气体传感器可以长时间承受较高的工作电压，工作可靠性显著提高，适用于产品进一步小型化。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖北;42 |
| 申请人： | 武汉微纳传感技术有限公司 |
| 发明人： | 雷鸣;饶吉磊;贺方杰 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201711447455.8 |
| 公开号： | CN108362740A |
| 代理机构： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 |
| 代理人： | 杨立;陈振玉 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/12 |
| 申请人地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区武大园路5-1号国家地球空间信息产业基地南主楼1单元4层01号 |
| 主权项： | 1.一种金属氧化物半导体气体传感器，包括：由下往上依次层叠的微热盘(1)、绝缘隔离层(2)和敏感电极(3)，以及覆盖在所述敏感电极(3)的上方的气体敏感材料(4)，所述敏感电极(3)位于微热盘(1)表面的绝缘隔离层(2)上方，其特征在于，所述敏感电极(3)包括：第一敏感电极(31)、第二敏感电极(32)和悬置敏感电极(33)；所述悬置敏感电极(33)位于所述第一敏感电极(31)和第二敏感电极(32)之间。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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