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原文传递金属氧化物气体传感器

专利名称：	金属氧化物气体传感器
摘要：	本实用新型提供一种金属氧化物气体传感器。所述金属氧化物气体传感器包括基底以及多个气敏元件。所述基底设置有多个间隔设置的镂空部。每个所述气敏元件设置于一个所述镂空部中。多个所述气敏元件与多个所述镂空部一一对应设置，同时切除了所述基底上多余的部分，从而使得所述基底镂空。由于镂空后的所述基底的面积变小，减小了所述气敏元件阵列封装结构的发热面积，进而降低了所述气敏元件阵列封装结构的热功耗。
专利类型：	实用新型
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	中国人民解放军陆军防化学院
发明人：	左国民;高适;张顺平;王学峰;李丹萍;张立功;王宁;周建梅;鲁胜利
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201721503666.4
公开号：	CN208109742U
代理机构：	北京华进京联知识产权代理有限公司 11606
代理人：	赵永辉
分类号：	G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/12
申请人地址：	102205 北京市昌平区阳坊镇中心北街1号院
主权项：	1.一种金属氧化物气体传感器，其特征在于，包括：基底(20)，所述基底(20)设置有多个间隔设置的镂空部(30)；以及多个气敏元件(40)，每个所述气敏元件(40)悬空设置于一个所述镂空部(30)中；每个所述气敏元件(40)包括基片(410)、加热电极层(420)、测试电极层(430)以及气敏材料层(440)；所述基片(410)具有第一表面(412)和与所述第一表面(412)相对的第二表面(414)，所述基片(410)悬空设置于所述镂空部(30)；所述加热电极层(420)设置于所述第一表面(412)；所述测试电极层(430)设置于所述第二表面(414)；所述气敏材料层(440)设置于所述第二表面(414)，并覆盖所述测试电极层(430)。
所属类别：	实用新型