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一种评估Ⅲ族氮化物单晶表面位错的检测方法
| 专利名称： | 一种评估Ⅲ族氮化物单晶表面位错的检测方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种通过原子力显微镜精确定位测定III族氮化物单晶表面位 错类型并统计不同类型位错密度的检测方法，属于半导体材料质检领域。其目 的是通过标记检测区域，利用原子力显微镜对标记区域表面形貌进行测试，然 后将样品进行多次腐蚀，并在每次腐蚀后用原子力显微镜对标记的同一检测区 域进行重复测试，多次腐蚀和测试后统计得到每个腐蚀位错坑的腐蚀速率，判 定对应的位错类型，进而统计各类型位错的密度。本发明突破传统透射电子显 微镜的位错检测方法，制样方法简单，位错类型判定准确高效，不仅可用于工 业上各类半导体材料的质量检测，促进III族氮化物基光电器件在光电产业的发 展，也能应用于关于薄膜材料位错腐蚀动力学的科学研究。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 江苏;32 |
| 申请人： | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 发明人： | 刘争晖;钟海舰;徐 科;王明月 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2009-03-05T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200910025456.2 |
| 公开号： | CN101598655 |
| 代理机构： | 南京苏科专利代理有限责任公司 |
| 代理人： | 陈忠辉 |
| 分类号： | G01N13/16(2006.01)I |
| 申请人地址： | 215125江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 |
| 主权项： | 1.一种评估III族氮化物单晶表面位错的检测方法，其特征步骤包括： (1)、在III族氮化物单晶的待检样品表面上标记出检测区域； (2)、利用原子力显微镜定位腐蚀前样品的检测区域，扫描样品表面形貌； (3)、利用酸性或碱性的腐蚀性溶液对待检样品进行湿法腐蚀； (4)、用去离子水及有机溶剂清洗去除待检样品表面的腐蚀性溶液； (5)、利用原子力显微镜定位步骤(1)所述的检测区域，扫描样品并记录扫描 范围内所有位错的数量及每个位错坑的横向面积和纵向深度参数； (6)、至少两次重复步骤(3)～步骤(5)，对待检样品进行定时腐蚀和表面形貌 扫描，统计并记录每次扫描各位错坑的参数变化结果； (7)、对多次记录的位错坑参数结果进行统计分析，分别得出每个位错坑横 向和纵向的腐蚀速率，根据腐蚀速率判定各位错对应的类型，并对所 有位错进行按类型划分的数量统计。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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