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原文传递一种碳化硅位错检测方法

专利名称：	一种碳化硅位错检测方法
摘要：	本发明涉及单晶材料位错检测技术领域，公开了碳化硅位错检测方法。本发明提供一种碳化硅位错检测方法，包括如下步骤：S1，设置晶圆；S2，使用带有刻蚀气体的等离子体火炬扫描晶圆表面，对晶圆表面进行刻蚀；S3，对晶圆进行冷却处理；S4，观察晶圆表面刻蚀坑的数目，从而计算得到晶圆的位错密度。本发明的碳化硅位错检测方法，可以方便、快速地得到碳化硅表面刻蚀坑的数目信息，耗时短、危害性小、便于流水线工作。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	广东;44
申请人：	南方科技大学
发明人：	邓辉;张翊
专利状态：	有效
申请号：	CN201811120149.8
公开号：	CN109270065A
代理机构：	广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205
代理人：	唐致明
分类号：	G01N21/84(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
主权项：	1.一种碳化硅位错检测方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，设置晶圆；S2，使用带有刻蚀气体的等离子体火炬扫描晶圆表面，对晶圆表面进行刻蚀；S3，对晶圆进行冷却处理；S4，观察晶圆表面刻蚀坑的数目，从而计算得到晶圆的位错密度。
所属类别：	发明专利