专利名称: | DNA纳米光纤的制备、硅烷化和表征 |
摘要: | 本发明公开了一种DNA纳米光纤的制备、硅烷化及表征硅烷化处理的纳米光纤表 面微结构成分的方法,能直接地表观光纤头部的共价接枝,其特点是将微米级的光纤 在蚀刻液中蚀刻5小时,获得纳米光纤,然后将纳米光纤放入10重量份的硅烷溶液, 在60~90℃,pH=2~4.5条件下反应1~5小时后,取出光纤,用蒸馏水洗涤,真空90~100 ℃,10~12小时烘干;用此方法检测纳米光纤表面的微结构成分,结果表明,该方法可 用于检测经硅烷化后光纤表面微结构成分,能直观地表征生物活性分子与经硅烷化的 光纤的耦合。 |
专利类型: | 发明专利 |
国家地区组织代码: | 四川;51 |
申请人: | 电子科技大学 |
发明人: | 庞小峰;王一明 |
专利状态: | 有效 |
申请日期: | 2008-05-16T00:00:00+0800 |
发布日期: | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: | CN200810044408.3 |
公开号: | CN101614649 |
分类号: | G01N21/00(2006.01)I |
申请人地址: | 610054四川省成都市建设北路二段四号 |
主权项: | 1.纳米光纤的表面修饰,选用适宜的光纤,将其浸入其一定配比的蚀刻液中,蚀 刻一段时间后,显微镜观察光纤腐蚀,去掉保护层,即可得到纳米光纤。将其放在硅 烷溶液中,其中各组分重量百分比组成计为: 水溶性硅烷剂 10~30份 水 30~120份 |
所属类别: | 发明专利 |