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原文传递 DNA纳米光纤的制备、硅烷化和表征
专利名称: DNA纳米光纤的制备、硅烷化和表征
摘要: 本发明公开了一种DNA纳米光纤的制备、硅烷化及表征硅烷化处理的纳米光纤表 面微结构成分的方法,能直接地表观光纤头部的共价接枝,其特点是将微米级的光纤 在蚀刻液中蚀刻5小时,获得纳米光纤,然后将纳米光纤放入10重量份的硅烷溶液, 在60~90℃,pH=2~4.5条件下反应1~5小时后,取出光纤,用蒸馏水洗涤,真空90~100 ℃,10~12小时烘干;用此方法检测纳米光纤表面的微结构成分,结果表明,该方法可 用于检测经硅烷化后光纤表面微结构成分,能直观地表征生物活性分子与经硅烷化的 光纤的耦合。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 四川;51
申请人: 电子科技大学
发明人: 庞小峰;王一明
专利状态: 有效
申请日期: 2008-05-16T00:00:00+0800
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN200810044408.3
公开号: CN101614649
分类号: G01N21/00(2006.01)I
申请人地址: 610054四川省成都市建设北路二段四号
主权项: 1.纳米光纤的表面修饰,选用适宜的光纤,将其浸入其一定配比的蚀刻液中,蚀 刻一段时间后,显微镜观察光纤腐蚀,去掉保护层,即可得到纳米光纤。将其放在硅 烷溶液中,其中各组分重量百分比组成计为: 水溶性硅烷剂 10~30份 水 30~120份
所属类别: 发明专利
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