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基于表面增强拉曼散射效应的硅纳米线传感器及其应用
| 专利名称： | 基于表面增强拉曼散射效应的硅纳米线传感器及其应用 |
| 摘要： | 本发明涉及基于表面增强拉曼散射效应的硅纳米线传感器及其应用。该 硅纳米线传感器是联用一种表面具有增强拉曼散射效应且稳定性高的活性基 底和拉曼光谱仪一同构筑成的。所述的活性基底，是由分布在单晶硅基片表 面垂直定向站立排列的硅纳米线阵列，及在垂直定向站立排列的硅纳米线阵 列顶端的形貌呈网状的银纳米粒子薄膜构成。所述的活性基底中进一步不含 有SiO |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 发明人： | 师文生;王晓天;佘广为 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2009-07-22T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200910089511.4 |
| 公开号： | CN101614668 |
| 代理机构： | 上海智信专利代理有限公司 |
| 代理人： | 李 柏 |
| 分类号： | G01N21/65(2006.01)I |
| 申请人地址： | 100190北京市海淀区中关村北一条2号 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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