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测量微纳米级薄膜线延伸率和薄膜面延展率的方法
| 专利名称： | 测量微纳米级薄膜线延伸率和薄膜面延展率的方法 |
| 摘要： | 一种测量微纳米级薄膜线延伸率和薄膜面延展率的方法，其特征是在待测薄膜下设置一层氧化物膜层，该氧化物膜层在脉冲激光的作用发生分解反应生成O2，这些O2的压力使表面的待测薄膜发生体积膨胀，形成类似于球冠状凸起，通过测量该球冠凸起的高度和直径，计算出该球冠的弧长和表面积，进而得出该待测薄膜的线延伸率和面延展率，调节激光参数，获得最大球冠状凸起，测量最大球冠状凸起的高度和直径，计算该待测薄膜材料的最大线延伸率和延展率。本发明方法操作简单，不用专门的系统提供压力，可以测量多种材料的线延伸率和面延展率，测量薄膜的厚度可以达到纳米级。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 发明人： | 顿爱欢;魏劲松;干福熹 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2010-09-26T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201010292164.8 |
| 公开号： | CN101979995A |
| 代理机构： | 上海新天专利代理有限公司 31213 |
| 代理人： | 张泽纯 |
| 分类号： | G01N3/28(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201800 上海市800-211邮政信箱 |
| 主权项： | 一种测量微纳米级薄膜线延伸率和薄膜面延展率的方法，其特征是在待测薄膜下设置一层氧化物膜层，该氧化物膜层在脉冲激光的作用发生分解反应生成O2，这些O2的压力使表面的待测薄膜发生体积膨胀，形成类似于球冠状凸起，通过测量该球冠凸起的高度和直径，计算出该球冠的弧长和表面积，进而得出该待测薄膜的线延伸率和面延展率，调节激光参数，获得最大球冠状凸起，测量最大球冠状凸起的高度和直径，计算该待测薄膜材料的最大线延伸率和延展率。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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