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呋喃它酮残留物无标记阻抗型免疫传感器及制备方法和应用
| 专利名称： | 呋喃它酮残留物无标记阻抗型免疫传感器及制备方法和应用 |
| 摘要： | 本发明涉及呋喃它酮残留物无标记的阻抗型免疫传感器，及其制备方法和应用，所说的该传感器通过金胶制备、金电极的预处理、1，4-苯二硫醇修饰金电极、单层纳米金胶的自组装和抗体的固定5个步骤而制得。其特征在于是将纳米金通过自组装方法固定于金电极表面，用来固定呋喃它酮残留物的单克隆抗体而构建得到。使用时，先建立阻抗的相对变化率%△Rct与AMOZ浓度的关系，再根据待测样品的阻抗相对变化率%△Rct就可确定其AMOZ浓度。采用本发明的传感器和检测方法具有快速简便的特点，解决当前呋喃它酮残留检测操作费时的缺陷。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 江苏;32 |
| 申请人： | 扬州大学 |
| 发明人： | 金文杰;杨功俊;秦爱建;吴丽萍;王倩倩;邵红霞;钱琨;余兵;李东明;蔡宝亮 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2010-10-15T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201010295008.7 |
| 公开号： | CN101957375A |
| 代理机构： | 南京知识律师事务所 32207 |
| 代理人： | 卢亚丽 |
| 分类号： | G01N33/558(2006.01)I |
| 申请人地址： | 225009 江苏省扬州市大学南路88号 |
| 主权项： | 一种呋喃它酮残留物无标记的阻抗型免疫传感器，其特征在于是通过以下方法制备得到：（1）金胶的制备：制备金纳米粒子溶液；（2）金电极的预处理：金电极先分别用0.3，0.05μm的三氧化二铝粉末在丝绸上抛光，然后依次用二次水和无水乙醇超声清洗；再将抛光处理好的金电极置于0.5MH2SO4溶液中，在0.5到+1.4V范围内进行循环伏安扫描25圈，扫速为0.1Vs1；然后将电极在氮氛下干燥；（3）1，4苯二硫醇修饰金电极：将预处理好的金电极浸入15mM的1，4苯二硫醇的无水乙醇溶液中，4oC下放置10min，然后用无水乙醇冲洗表面，然后在氮氛下干燥；（4）单层纳米金胶的自组装：将自组装了1，4苯二硫醇的金电极浸入金胶溶液中，放在暗处置于室温下5h后，取出后用二次水冲洗表面；（5）抗体的固定：将纳米金修饰电极浸入含0.030mg/mLAMOZ抗体的磷酸缓冲溶液（pH7.0）中，于4°C下放置12h；电极取出后再放入10.0mg/mL的牛血清蛋白中，置于37.5oC水浴中1小时，以封闭非特异性位点；最后再将电极取出后用二次水冲洗以除去表面多余的牛血清蛋白；即制得呋喃它酮残留物无标记的阻抗型免疫传感器。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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