专利名称: |
石英晶片切角大规模精确校正工艺 |
摘要: |
本发明提供一种石英晶片切角大规模精确校正工艺,它包括:对石英晶片的切割角度进行X射线角度检测,定向标识石英晶片;将石英晶片按角度范围分档;将同档角度范围内的石英晶片进行两两组合,将每组石英晶片错位后进行叠粘,每组石英晶片错位宽度一致;将叠粘好的每组石英晶片放在双面研磨设备中进行批量研磨;研磨中对石英晶片的切割角度进行X射线角度检测,当角度达到要求角度时,完成整批石英晶片的切割角度初步校正工作,即可下片;将每组石英晶片两两分离,再将石英晶片的校角研磨面朝下置于双面研磨设备下盘面,并对石英晶片进行双面研磨,直至石英晶片两主平面平行。该工艺具有加工精度高、产品一致性好、适合大规模生产的优点。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
河南;41 |
申请人: |
北京石晶光电科技股份有限公司济源分公司 |
发明人: |
李广辉;李二周 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2010-10-15T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201010507564.6 |
公开号: |
CN101973076A |
代理机构: |
郑州红元帅专利代理事务所(普通合伙) 41117 |
代理人: |
黄军委 |
分类号: |
B28D5/00(2006.01)I |
申请人地址: |
454650 河南省济源市科技工业园区石晶光电济源分公司 |
主权项: |
一种石英晶片切角大规模精确校正工艺,其特征在于,该校正工艺包括以下步骤:步骤1、对石英晶片的切割角度进行X射线角度检测,按定向时方位,将检测角度值对应标识在超差需校正角度的石英晶片上;步骤2、角度标识完毕后,将石英晶片按角度范围分档;步骤3、将同档角度范围内的石英晶片进行组合,两块石英晶片为一组,并将每组石英晶片错位后进行叠粘,每组石英晶片错位宽度一致;步骤4、将叠粘好的每组石英晶片放在双面研磨设备中进行批量研磨;步骤5、研磨中,对石英晶片的切割角度进行X射线角度检测,当角度达到要求角度时,完成整批石英晶片的切割角度初步校正工作,即可下片;步骤6、将每组石英晶片两两分离,然后,再将石英晶片的校角研磨面朝下置于双面研磨设备下盘面,并对石英晶片进行双面研磨,直至石英晶片两主平面平行,即可。 |
所属类别: |
发明专利 |