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原文传递 一种高精密双转角石英晶片的切割工艺
专利名称: 一种高精密双转角石英晶片的切割工艺
摘要: 本发明公开了一种高精密双转角石英晶片的切割工艺,属于石英晶体切割技术领域。该工艺用线切割机对粘好的石英晶棒进行切割,在切割过程中,切割钢丝直径为0.10~0.15mm;研磨砂粒径为8~15um;砂液配比为1:1~1:1.4,搅拌时间为2.5~3.5小时;钢丝的线速度为250~270米/分;工作台进给速度为0.14毫米/分~0.18毫米/分;线供给速度为5~10米/分。本发明工艺具有操作简易、效率高、出片率高、切割角度精度高、角度离散小、石英晶片表面破坏程度低等特点,为高精度石英振荡器的批量生产奠定了坚实的基础。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 河北;13
申请人: 河北远东通信系统工程有限公司
发明人: 聂祎;赵明;李磊;赵效阳;魏鹏;陈丽丽;张玉;张振友;马京路;吴婷婷;王盼;许静
专利状态: 有效
申请日期: 2019-06-28T00:00:00+0800
发布日期: 2019-10-18T00:00:00+0800
申请号: CN201910571009.0
公开号: CN110341060A
代理机构: 河北东尚律师事务所
代理人: 王文庆
分类号: B28D5/00(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址: 050200 河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号
主权项: 1.一种高精密双转角石英晶片的切割工艺,其特征在于,包括以下步骤: (1)在工作台上涂紫外光固化胶,将玻璃基板放置在工作台上,排除玻璃基板与工作台之间的气泡,使紫外光固化胶均匀分布在工作台和玻璃基板之间,用紫外线照射固化; (2)将粘好玻璃基板的工作台放置到X光射线定向仪上,调整对齐后紧缩旋钮;调整X光射线定向仪的参数,设置电压为高电压,管电流为1.8~2.2mA; (3)准备石英晶棒,晶棒规格为X面ZZ向10°06′~10°16′,X面YY向16°13′~16°17′; (4)将待切割石英晶棒的X面用无水酒精擦拭干净,然后将晶棒放置到玻璃基板的下端处,晶棒的+X面正对玻璃基板,晶棒垂直玻璃基板的两侧面接触X光射线定向仪的三固定点;拉开关闸,通过微调整晶棒的摆放位置使X光射线定向仪的微安表电流至峰值,确定晶棒的放置位置后取下晶棒,在晶棒的+X光面上涂紫外光固化胶,重新放置到调好的位置上,用紫外线照射固化; (5)将载有石英晶棒的工作台转移至线切割机中并开始切割,所述线切割机的参数为: 钢丝直径为0.10~0.15mm; 研磨砂粒径为13~18um; 砂液配比为1:2~2.5,搅拌时间为2.5~3.5小时; 钢丝的线速度为180~200米/分; 工作台进给速度为0.5~0.7毫米/分; 供线速度为12~18米/分; 钢丝的加速时间为0.515秒,正转时间为7~9秒,切平时间为5~10分; (6)取下切好的石英晶片,放入清洗框中清洗,获得高精密双转角石英晶片。 2.根据权利要求1所述的高精密双转角石英晶片的切割工艺,其特征在于,所述玻璃基板的尺寸为120mm×120mm×8mm,水平度为0~0.03mm。 3.根据权利要求1所述的高精密双转角石英晶片的切割工艺,其特征在于,所述工作台的尺寸为120mm×120mm×10mm,平整度为0~1um。 4.根据权利要求1所述的高精密双转角石英晶片的切割工艺,其特征在于,所述玻璃基板上粘放有多个晶棒,晶棒之间的间距为2~3mm。 5.根据权利要求1所述的高精密双转角石英晶片的切割工艺,其特征在于,所述步骤(6)的具体方式为: 将工作台取下,去掉晶棒两端的料头,将切好的石英晶片取下,放入清洗框中,用碱性溶液清洗石英晶片。 6.根据权利要求5所述的高精密双转角石英晶片的切割工艺,其特征在于,所述清洗框为不锈钢网状清洗框,网孔直径为4~6mm。 7.根据权利要求5所述的高精密双转角石英晶片的切割工艺,其特征在于,所述碱性溶液的配比为:A505清洗液:纯水=1:24。 8.根据权利要求5所述的高精密双转角石英晶片的切割工艺,其特征在于,所述碱性溶液的温度为50摄氏度。 9.根据权利要求1所述的高精密双转角石英晶片的切割工艺,其特征在于,所述玻璃基板上平行粘放1~8条石英晶棒,各石英晶棒均按照所述步骤(4)的方式进行操作。
所属类别: 发明专利
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