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一种用于痕量生化物质检测的CMUT及其制备方法
| 专利名称： | 一种用于痕量生化物质检测的CMUT及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于痕量生化物质检测的CMUT及其制备方法，CMUT结构自上而下依次包括敏感识别材料层、作为上电极的重掺杂单晶硅层、二氧化硅绝缘层，以及二氧化硅支柱，所述二氧化硅支柱的中间部分形成有空腔，该空腔的下端被作为下电极的重掺杂单晶硅底座密封，所述空腔的周围与二氧化硅支柱相邻，上下两端分别与二氧化硅绝缘层和重掺杂单晶硅底座相邻，所述二氧化硅绝缘层与重掺杂单晶硅层共同形成整个CMUT结构的振动薄膜。本发明CMUT结构可以获得更高共振频率和品质因子，提高检测灵敏度、实现更小痕量物质检测。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 陕西;61 |
| 申请人： | 西安交通大学 |
| 发明人： | 赵立波;李支康;蒋庄德;郭鑫;张桂铭;黄恩泽;赵玉龙;苑国英 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2011-12-05T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201110399567.7 |
| 公开号： | CN102520147A |
| 代理机构： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
| 代理人： | 徐文权 |
| 分类号： | G01N33/50(2006.01)I |
| 申请人地址： | 710049 陕西省西安市咸宁西路28号 |
| 主权项： | 一种用于痕量生化物质检测的CMUT，其特征在于：自上而下依次包括敏感识别材料层(1)、作为上电极的重掺杂单晶硅层(2)、二氧化硅绝缘层(3)，以及二氧化硅支柱(4)，所述二氧化硅支柱(4)的中间部分形成有空腔(6)，该空腔(6)的下端被作为下电极的重掺杂单晶硅底座(5)密封，所述空腔(6)的周围为二氧化硅支柱，上下两端分别与二氧化硅绝缘层(3)和重掺杂单晶硅底座相邻，所述二氧化硅绝缘层(3)与重掺杂单晶硅层(2)共同形成整个CMUT结构的振动薄膜。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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