专利名称: | 高效外延化学气相沉积(CVD)反应器 |
摘要: | 本发明公开了一种化学气相沉积反应器,其具有改善的化合物利用率和成本效益。本公开的晶片基座可以以堆叠结构用于同时加工多个晶片。本公开的反应器可为逆流耗尽型反应器,其具有均一的膜厚度以及高的化合物利用率。 |
专利类型: | 发明专利 |
申请人: | 速力斯公司 |
发明人: | 乔治·卡米安 |
专利状态: | 有效 |
申请日期: | 2010-04-14T00:00:00+0800 |
发布日期: | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: | CN201080021690.9 |
公开号: | CN102427971A |
代理机构: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 |
代理人: | 谭志强 |
分类号: | B60R25/02(2006.01)I |
申请人地址: | 美国加利福尼亚州 |
主权项: | 一种用于将化合物沉积于晶片上的反应器,所述反应器包括:????第一端口;????连接到所述第一端口的第一挡板通道;????用于将所述晶片第一表面暴露于所述化合物的晶片插袋,所述晶片插袋连接到所述第一挡板通道;????连接到所述晶片插袋的第二挡板通道;以及????第二端口;????其中所述第一端口能够以供给模式或排气模式操作。 |
所属类别: | 发明专利 |