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能提高晶粒尺寸的多晶硅制造方法
| 专利名称： | 能提高晶粒尺寸的多晶硅制造方法 |
| 摘要： | 本发明提供一种能提高晶粒尺寸的多晶硅制造方法，其主要是在准分子雷射回火过程中以低介电常数介质取代一般用作保温层的氧化硅层，藉低介电常数介质的低导热系数特性而确实提高保温效果，进而使非晶硅层充分熔融后再产生再结晶，藉此增大多晶硅层的晶粒大小，提高电子的迁移率及整体电晶体的性能。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 发明人： | 曾旭;高印;柯其勇 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2014-04-21T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201410160542.5 |
| 公开号： | CN103928341A |
| 代理机构： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 |
| 代理人： | 曾耀先 |
| 分类号： | H01L21/336(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201508 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 |
| 主权项： | 一种能提高晶粒尺寸的多晶硅制造方法，其特征在于包含：沉积氮化硅层步骤A，于一玻璃基板上沉积形成一氮化硅层；沉积低介电常数介质步骤B，于该氮化硅层上沉积形成一低介电常数介质，该低介电常数介质的材料为介电常数小于或等于2.8的材料；沉积非晶硅层步骤C，于该低介电常数介质上沉积一非晶硅层；以及形成多晶硅层步骤D，熔解该非晶硅层，经冷却并再结晶成为多晶硅层。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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