| 专利名称： |
多晶硅熔化参数的检测方法、多晶硅、单晶硅及其制造方法 |
| 摘要： |
本发明实施例提供了一种多晶硅熔化参数的检测方法、多晶硅、单晶硅及其制造方法，多晶硅熔化参数的检测方法包括：提供多个满足预设要求的多晶硅试样；对所述多个多晶硅试样分别进行衍射分析，确定指定的米勒指数面衍射强度的变动量；根据指定的米勒指数面衍射强度的变动量，确定所述多晶硅试样的熔化参数。这样可以筛选出熔化性能好的硅块，并将筛选得到的硅块作为生产单晶硅的原料，可以防止在CZ单晶硅制作过程时出现结晶线紊乱现象，可以提高单晶硅的质量和生产效率。 |
| 专利类型： |
发明专利 |
| 国家地区组织代码： |
陕西;61 |
| 申请人： |
西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 发明人： |
宮尾秀一 |
| 专利状态： |
有效 |
| 申请日期： |
2019-05-31T00:00:00+0800 |
| 发布日期： |
2019-08-16T00:00:00+0800 |
| 申请号： |
CN201910473292.3 |
| 公开号： |
CN110133017A |
| 代理机构： |
北京银龙知识产权代理有限公司 |
| 代理人： |
许静;刘伟 |
| 分类号： |
G01N23/20(2018.01);G;G01;G01N;G01N23 |
| 申请人地址： |
710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室 |
| 主权项： |
1.一种多晶硅熔化参数的检测方法，其特征在于，包括： 提供多个满足预设要求的多晶硅试样； 对所述多个多晶硅试样分别进行衍射分析，确定所述多个多晶硅试样在指定的米勒指数面衍射强度的变动量； 根据所述多个多晶硅试样在指定的米勒指数面衍射强度的变动量，确定所述多晶硅试样的熔化参数。 2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述指定的米勒指数面为米勒指数面<111>。 3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述对所述多个多晶硅试样分别进行衍射分析，确定所述多个多晶硅试样在指定的米勒指数面衍射强度的变动量，包括： 通过粉末X射线衍射测定方法对所述多个多晶硅试样分别进行衍射分析，确定每个多晶硅试样在指定的米勒指数面的衍射强度； 根据每个多晶硅试样在指定的米勒指数面的衍射强度，确定所述多个多晶硅试样在指定的米勒指数面衍射强度的平均值； 根据每个多晶硅试样在指定的米勒指数面的衍射强度以及所述衍射强度的平均值，确定多个多晶硅试样在指定的米勒指数面衍射强度的标准差； 根据所述衍射强度的平均值和所述衍射强度的标准差，确定多个多晶硅试样在指定的米勒指数面衍射强度的变异参数，将所述变异参数作为衍射强度的变动量。 4.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，所述根据所述多个多晶硅试样在指定的米勒指数面衍射强度的变动量，确定所述多晶硅试样的熔化参数，包括： 当所述变异参数在2％以内时，则认定所述多晶硅试样的熔化参数小于预设阈值。 5.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，所述根据每个多晶硅试样在指定的米勒指数面的衍射强度，确定所述多个多晶硅试样在指定的米勒指数面衍射强度的平均值，包括： 根据以下公式确定所述多个多晶硅试样在指定的米勒指数面衍射强度的平均值 其中，M为多晶硅试样的个数，Im为第m个多晶硅试样在指定的米勒指数面的衍射强度的峰值。 6.一种多晶硅熔化参数的检测装置，其特征在于，包括： 制样模块，用于提供多个满足预设要求的多晶硅试样； 分析模块，用于对所述多个多晶硅试样分别进行衍射分析，确定所述多个多晶硅试样在指定的米勒指数面衍射强度的变动量； 确定模块，用于根据所述多个多晶硅试样在指定的米勒指数面衍射强度的变动量，确定所述多晶硅试样的熔化参数。 7.根据权利要求6所述的检测装置，其特征在于，所述指定的米勒指数面为米勒指数面<111>。 8.一种多晶硅，其特征在于，通过权利要求4所述的检测方法得到的多晶硅。 9.一种单晶硅的制造方法，其特征在于，将权利要求8所述的多晶硅作为原料。 10.一种单晶硅，其特征在于，通过权利要求9所述的制造方法制成的单晶硅。 |
| 所属类别： |
发明专利 |
