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多晶硅选择方法、多晶硅及其在直拉法中的应用
| 专利名称： | 多晶硅选择方法、多晶硅及其在直拉法中的应用 |
| 摘要： | 本发明涉及硅制造领域，特别涉及多晶硅选择方法、多晶硅及其在直拉法中的应用。所述多晶硅选择方法，包括以下步骤：将多晶硅原料切割为多晶硅板；对所述多晶硅板的表面进行研磨处理及蚀刻处理，得到多晶硅试样；在荧光灯条件下，对所述多晶硅试样的表面进行观察，根据所述多晶硅试样的表面形态特征，判断并选择最适合用于直拉法的多晶硅原料。该多晶硅选择方法，可以通过肉眼直接观察的方式，判断并选择出较为适合用于直拉法的多晶硅原料，所述方法简单、快速、明确，且判断的准确率高。本发明选择出的多晶硅原料经过直拉法生产单晶硅时，融化速度快，较少出现错乱，解决了由于多晶硅原料筛选不当导致的单晶硅的质量差、生产效率低的问题。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 陕西;61 |
| 申请人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 发明人： | 宮尾秀一 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-05-17T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-08-16T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910414330.8 |
| 公开号： | CN110133023A |
| 代理机构： | 北京银龙知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 黄灿;蔡丽 |
| 分类号： | G01N23/207(2006.01);G;G01;G01N;G01N23 |
| 申请人地址： | 710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室 |
| 主权项： | 1.一种多晶硅的选择方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤(1)：将多晶硅原料切割为多晶硅板； 步骤(2)：对所述多晶硅板的表面进行研磨处理及蚀刻处理，得到多晶硅试样； 步骤(3)：在荧光灯条件下，对所述多晶硅试样的表面进行观察，根据所述多晶硅试样的表面形态特征，判断并选择最适合用于直拉法的多晶硅原料。 2.根据权利要求1所述的选择方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述研磨处理使用粒度为#300～#1200的研磨剂。 3.根据权利要求1所述的选择方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述蚀刻处理时采用氢氟酸和硝酸的混合液进行蚀刻，所述氢氟酸与硝酸的体积比为1:3～1:4，所述多晶硅板与混合液的质量体积比为4g/100ml以下。 4.根据权利要求2或3任意一项所述的选择方法，其特征在于，所述步骤(2)具体为： 步骤(2-1)：利用粒度为#300的研磨材对所述多晶硅板表面进行第一次研磨； 步骤(2-2)：利用粒度为#600的研磨材对经过第一次研磨的多晶硅板表面进行第二次研磨； 步骤(2-3)：利用粒度为#1200的研磨材对经过第二次研磨的多晶硅板表面进行第三次研磨； 步骤(2-4)：对经过上述三次研磨处理的多晶硅板进行蚀刻处理，得到多晶硅试样。 5.一种多晶硅，其特征在于，利用权利要求1～4任意一项所述的方法进行切割、研磨、蚀刻、观察，并且判断为如下形态特征：无法确认到单个的晶粒，但整体由粒径为1～3μm的粒子构成。 6.一种直拉法制备单晶硅的方法，其特征在于，利用权利要求5所述的多晶硅为原料。 7.一种单晶硅，其特征在于，通过权利要求6所述的方法制成。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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