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原文传递制备多晶硅层的方法

专利名称：	制备多晶硅层的方法
摘要：	本发明公开了一种制备多晶硅层的方法，通过分批多次沉积非晶硅薄膜，并在每次沉积工艺后均进行准分子镭射工艺，不仅能够将非晶硅薄膜完全转化为多晶硅薄膜，并且能够控制多晶硅薄膜的均匀性，若干多晶硅薄膜依次层叠形成一多晶硅层，从而获得均匀性较好的多晶硅层，在提高产品性能的同时，还有效避免了显示器件中色差问题的发生，进而大幅提高了产品的良率。
专利类型：	发明专利
申请人：	上海和辉光电有限公司
发明人：	叶昱均;许民庆
专利状态：	有效
申请日期：	2013-06-27T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201310264674.8
公开号：	CN104253026A
代理机构：	上海申新律师事务所 31272
代理人：	竺路玲
分类号：	H01L21/20(2006.01)I
申请人地址：	201506 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室
主权项：	一种制备多晶硅层的方法，其特征在于，包括：于一衬底上循环利用多晶硅沉积转化工艺制备若干多晶硅薄膜，以形成覆盖该衬底上表面的多晶硅层；其中，该多晶硅层由所述若干多晶硅薄膜依次层叠形成。
所属类别：	发明专利