详情

原文传递多晶硅制备装置

专利名称：	多晶硅制备装置
摘要：	本实用新型涉及一种多晶硅制备装置。多晶硅制备装置包括缓冲腔，还包括装卸平台、清洗腔、至少一沉积腔、去氢化腔、冷却腔和激光回火腔；上述的装卸平台、清洗腔、沉积腔、去氢化腔、冷却腔和激光回火腔分别置于缓冲腔的周围，且均与该缓冲腔连接；所述缓冲腔内设置有一机械手臂，该机械手臂包括一定位杆、U型插片和至少一连杆；所述定位杆的一端可旋转的设置于所述缓冲腔内，所述U型插片通过所述至少一连杆与所述定位杆的另一端可旋转的连接。本实用新型通过将原本外置的沉积腔与多晶硅制备装置集成在一起，能够节省工艺步骤和占地空间。
专利类型：	实用新型专利
申请人：	上海和辉光电有限公司
发明人：	叶昱均;许民庆
专利状态：	有效
申请日期：	2013-05-28T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201320300140.1
公开号：	CN203320123U
代理机构：	上海申新律师事务所 31272
代理人：	竺路玲
分类号：	C23C16/44(2006.01)I
申请人地址：	201506 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室
主权项：	一种多晶硅制备装置，所述多晶硅制备装置包括一缓冲腔，其特征在于，该装置还包括至少一个沉积腔；所述沉积腔与所述缓冲腔连通。
所属类别：	实用新型