专利名称: |
多晶硅制备装置 |
摘要: |
本实用新型涉及一种多晶硅制备装置。多晶硅制备装置包括缓冲腔,还包括装卸平台、清洗腔、至少一沉积腔、去氢化腔、冷却腔和激光回火腔;上述的装卸平台、清洗腔、沉积腔、去氢化腔、冷却腔和激光回火腔分别置于缓冲腔的周围,且均与该缓冲腔连接;所述缓冲腔内设置有一机械手臂,该机械手臂包括一定位杆、U型插片和至少一连杆;所述定位杆的一端可旋转的设置于所述缓冲腔内,所述U型插片通过所述至少一连杆与所述定位杆的另一端可旋转的连接。本实用新型通过将原本外置的沉积腔与多晶硅制备装置集成在一起,能够节省工艺步骤和占地空间。 |
专利类型: |
实用新型专利 |
申请人: |
上海和辉光电有限公司 |
发明人: |
叶昱均;许民庆 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2013-05-28T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201320300140.1 |
公开号: |
CN203320123U |
代理机构: |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人: |
竺路玲 |
分类号: |
C23C16/44(2006.01)I |
申请人地址: |
201506 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 |
主权项: |
一种多晶硅制备装置,所述多晶硅制备装置包括一缓冲腔,其特征在于,该装置还包括至少一个沉积腔;所述沉积腔与所述缓冲腔连通。 |
所属类别: |
实用新型 |