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原文传递低温多晶硅薄膜的制备方法

专利名称：	低温多晶硅薄膜的制备方法
摘要：	本发明涉及一种低温多晶硅薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上制备非晶硅层；采用等离子体工艺于所述非晶硅层上制备氧化硅层；对所述非晶硅层进行激光多晶硅化工艺。本发明中通过采用等离子体增强化学气相沉积工艺对低温多晶硅薄膜的制备过程中的氧化硅薄膜进行制备，提高了氧化硅薄膜的整体均匀度，同时也具有较佳的表面粗糙度。
专利类型：	发明专利
申请人：	上海和辉光电有限公司
发明人：	彭思君;吴建宏;刘冲;严晓龙
专利状态：	有效
申请日期：	2013-05-16T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201310182928.1
公开号：	CN104167349A
代理机构：	上海申新律师事务所 31272
代理人：	竺路玲
分类号：	H01L21/02(2006.01)I
申请人地址：	201506 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室
主权项：	一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上制备非晶硅层；采用等离子体工艺于所述非晶硅层上制备氧化硅层；对所述非晶硅层进行激光多晶硅化工艺。
所属类别：	发明专利