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调整低温多晶硅晶体管阀值电压的方法
| 专利名称： | 调整低温多晶硅晶体管阀值电压的方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种调整低温多晶硅薄膜晶体管阀值电压的方法，其属于低温多晶硅技术领域，N型多晶硅应用于LTPS产品中，LTPS产品中包括N型多晶硅和P型多晶硅；N型多晶硅由下至上依次包括基板层，SiOx层，SiNx层以及金属层和光刻胶，基板层为A型硅层；其中，控制N型多晶硅阀值电压的调整方法具体包括：步骤1，刻蚀金属层和SiNx层，并过刻蚀少量的SiOx层；步骤2，过刻蚀金属层，并刻蚀掉部分SiOx层，SiOx层不被刻蚀吃穿；上述技术方案的有益效果是：增加离子的物理碰撞作用，从而刻蚀掉更多的SiOx层，增加N+离子的掺杂量，从而控制Vth增加电流的稳定性。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 发明人： | 孙鲁男 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2013-03-29T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201310109382.7 |
| 公开号： | CN103178006A |
| 代理机构： | 上海申新律师事务所 31272 |
| 代理人： | 竺路玲 |
| 分类号： | H01L21/77(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201506 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 |
| 主权项： | 一种调整低温多晶硅晶体管阀值电压的方法，其特征在于，包括以下步骤：?步骤S1、在一基板上方形成一多晶硅层，并在多晶硅层上方自下而上依次沉积第一介质层、第二介质层，其后在第二介质层之上形成一金属层；?步骤S2、利用一涂覆在金属层上的图案化的光刻胶作为掩膜，刻蚀所述金属层、第二介质层，分别形成一过渡栅极和一第二栅极绝缘膜；?步骤S3、执行一过刻蚀步骤，分别对图案化的光刻胶和过渡栅极各自的两侧的边缘部分进行刻蚀，以使图案化的光刻胶和过渡栅极由第一宽度变为小于第一宽度的第二宽度，并形成一金属栅极；?其中，同时还对第一介质层进行刻蚀，形成多晶硅层的局部区域和第二栅极绝缘膜之间的一第一栅极绝缘膜和多晶硅层余下区域上方的预留层；?步骤S4、利用籍由第一、第二栅极绝缘膜构成的复合栅极绝缘层和所述金属栅极作为掺杂物注入的掩蔽物，以自对准工艺，在复合栅极绝缘层的未被所述金属栅极覆盖住的区域下方的多晶硅层中形成低浓度掺杂区；以及?在预留层下方的多晶硅层中形成高浓度掺杂区，相互邻接的所述低浓度掺杂区、高浓度掺杂区构成晶体管的具有阶梯掺杂浓度的源极或漏极。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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