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原文传递低温多晶硅薄膜的制作方法

专利名称：	低温多晶硅薄膜的制作方法
摘要：	本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制作方法，包括：提供具有缓冲氧化层的玻璃基板；在缓冲氧化层之上依序形成非晶硅层和覆盖非晶硅层的保护层；对非晶硅层进行高温加热，并对非晶硅层进行准分子激光退火，形成多晶硅层；对多晶硅层执行光刻蚀工艺和离子掺杂工艺，形成栅极；在缓冲氧化层和多晶硅层之上形成栅极氧化层，形成多晶硅薄膜。相对于现有技术，本发明通过将非晶硅层和覆盖非晶硅层的保护层进行一次镀膜，将非晶硅层予以隔离，避免非晶硅层的界面因暴露于外界而与外界中的污染源结合，确保了器件稳定性，提高了器件的产品品质。
专利类型：	发明专利
申请人：	上海和辉光电有限公司
发明人：	王承贤;彭思君
专利状态：	有效
申请日期：	2013-11-22T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201310596975.0
公开号：	CN104658898A
代理机构：	上海唯源专利代理有限公司 31229
代理人：	曾耀先
分类号：	H01L21/28(2006.01)I
申请人地址：	201508 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室
主权项：	一种低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：提供具有缓冲氧化层的玻璃基板；在所述缓冲氧化层之上依序形成非晶硅层和覆盖所述非晶硅层的保护层；对所述非晶硅层进行高温加热，并对所述非晶硅层进行准分子激光退火，形成多晶硅层；对所述多晶硅层执行光刻蚀工艺和离子掺杂工艺，形成栅极；在所述缓冲氧化层和所述保护层之上形成栅极氧化层，形成多晶硅薄膜。
所属类别：	发明专利