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原文传递薄膜晶体管的制作方法

专利名称：	薄膜晶体管的制作方法
摘要：	本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：提供基底基板；在基底基板上形成栅极金属层；对栅极金属层进行图案化，形成栅电极；在栅极线上依序形成栅极氧化层、半导体层、以及欧姆接触层；在栅极绝缘层和欧姆接触层上形成叠层导电膜，叠层导电膜具有依次叠层的第一Mo金属层、Ag金属层、以及第二Mo金属层；对叠层导电膜进行图案化，形成漏电极和作为数据线的源电极。相对于现有技术，制成的漏电极和源电极为Mo/Ag/Mo叠层结构，在实现大尺寸显示面板的需求的情形下，可直接使用现行蚀刻液完成蚀刻工序，且针对现有技术中的钼/铝/钼结构发生的双眼皮现象有一定的改善作用，减少断层异常的发生，降低修复工作量，提高量产量率。
专利类型：	发明专利
申请人：	上海和辉光电有限公司
发明人：	谭莉;林志明;林信安;胡威威
专利状态：	有效
申请日期：	2014-02-14T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201410050841.3
公开号：	CN103811327A
代理机构：	上海唯源专利代理有限公司 31229
代理人：	曾耀先
分类号：	H01L21/28(2006.01)I
申请人地址：	201508 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室
主权项：	一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供基底基板；在所述基底基板上形成栅极金属层；对所述栅极金属层进行图案化，形成栅电极；在所述栅极线上依序形成栅极氧化层、半导体层、以及欧姆接触层；在所述栅极绝缘层和所述欧姆接触层上形成叠层导电膜，所述叠层导电膜具有依次叠层的第一Mo金属层、Ag金属层、以及第二Mo金属层；对所述叠层导电膜进行图案化，形成漏电极和作为数据线的源电极；所述漏电极和所述源电极中的所述第一Mo金属层、所述Ag金属层、以及所述第二Mo金属层由蚀刻液完成蚀刻。
所属类别：	发明专利