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原文传递薄膜晶体管结构

专利名称：	薄膜晶体管结构
摘要：	本发明提供一种薄膜晶体管结构，应用于控制显示器件的电流，所述薄膜晶体管结构包括多晶硅图案和金属栅极，所述多晶硅图案中的部分区与所述金属栅极在竖直方向上重叠，且该部分区域内的多晶硅图案沿折线或曲线分布。本发明的具有小宽长比的薄膜晶体管结构与传统的结构相比，由于多晶硅图案部分的形状由直线变为折线或曲线，因此，相对于直线分布的传统结构中的多晶硅图案而言，本发明中的结构能够增加多晶硅图案的长度，进而减小器件的宽长比，使得器件在不额外增加面积的情况下达到所需的宽长比。
专利类型：	发明专利
申请人：	上海和辉光电有限公司
发明人：	倪杰;肖丽娜;王焕楠
专利状态：	有效
申请日期：	2014-08-13T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201410399681.3
公开号：	CN104218093A
代理机构：	上海申新律师事务所 31272
代理人：	吴俊
分类号：	H01L29/786(2006.01)I
申请人地址：	201506 上海市金山工业区大道100号1幢二楼208室
主权项：	一种薄膜晶体管结构，其特征在于，包括：多晶硅层；第一绝缘层，位于所述多晶硅层上；栅极，位于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层及所述栅极上；源极，位于所述第二绝缘层上相对于所述栅极的一侧，并透过形成于所述第一绝缘层及所述第二绝缘层上的第一通孔与所述多晶硅层接触；以及漏极，位于所述第二绝缘层上的所述源极相对于所述栅极的另一侧，并透过形成于所述第一绝缘层及所述第二绝缘层上的第二通孔与所述多晶硅层接触；其中，所述多晶硅层具有沿折线或者曲线分布的几何图形。
所属类别：	发明专利