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一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
| 专利名称： | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，属于显示设备技术领域。本发明的薄膜晶体管阵列基板其制造过程中利用光刻图案化金属膜形成的VDD线及VSS线，并在底板上生长覆盖金属膜的第一绝缘层，由此使得VDD线和VSS线均在第一次光刻完成，并埋设在所有的绝缘层的下面，从而有效防止VDD线和VSS线直接暴露在空气中或和Frit胶直接接触，大幅提升了产品良率和性能可靠性，同时又能够为排布更宽的电源线提供空间，适用于分辨率更高的显示设备，且本发明的薄膜晶体管阵列基板结构简单，其制造方法也相对简便，应用范围广泛。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 发明人： | 汪梅林;储培鸣 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2014-02-17T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201410053576.4 |
| 公开号： | CN103839915A |
| 代理机构： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 |
| 代理人： | 曾耀先 |
| 分类号： | H01L23/50(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201508 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 |
| 主权项： | 一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：底板；金属膜，形成于所述的底板之上，具有下电极、图案化形成的VDD线及VSS线；第一绝缘层，形成于所述的底板之上并覆盖所述的金属膜；半导体层，形成于所述的第一绝缘层之上，具有图案化形成的第一薄膜晶体管的源极和第二薄膜晶体管的源极；第二绝缘层，形成于所述的第一绝缘层和所述的半导体层之上；第一金属层，具有上电极、图案化形成的第一薄膜晶体管的栅极、以及第二薄膜晶体管的栅极和漏极；第三绝缘层，形成于所述的第一金属层之上，该第三绝缘层上开设有第一连接孔、第二连接孔、第三连接孔和第四连接孔；所述的第一连接孔暴露所述的半导体层上第一薄膜晶体管源极，所述的第二连接孔暴露所述的第一薄膜晶体管源极和第二薄膜晶体管的栅极，所述的第三连接孔暴露所述的VDD线及第二薄膜晶体管的漏极，所述的第四连接孔暴露所述的半导体层上第二薄膜晶体管源极；第二金属层，形成于所述的第三绝缘层之上，具有图案化形成的数据线；所述的数据线通过所述的第一连接孔连接所述的第一薄膜晶体管源极；所述的数据线通过所述的第二连接孔电性连接所述的第一薄膜晶体管源极与第二薄膜晶体管的栅极；所述的数据线通过所述的第三连接孔电性连接所述的VDD线及第二薄膜晶体管的漏极；所述的数据线通过所述的第四连接孔连接所述的第二薄膜晶体管的源极。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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