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薄膜晶体管及其阵列、待测物体的检测方法
| 专利名称： | 薄膜晶体管及其阵列、待测物体的检测方法 |
| 摘要： | 本公开提供了一种薄膜晶体管及其阵列、待测物体的检测方法，所述薄膜晶体管用于检测结合有金属离子的待测物体的参数，其中：所述薄膜晶体管的有源层的载流子迁移率为第一迁移率，所述有源层与所述金属离子包含的金属元素结合后的载流子迁移率为第二迁移率，所述第二迁移率不同于所述第一迁移率。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 安徽;34 |
| 申请人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 发明人： | 李广耀;黄磊;王海涛;汪军;王庆贺;李伟;王东方;闫梁臣 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811342219.4 |
| 公开号： | CN109459464A |
| 代理机构： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
| 代理人： | 张海强 |
| 分类号： | G01N27/00(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 230012 安徽省合肥市新站区工业园内 |
| 主权项： | 1.一种薄膜晶体管，用于检测结合有金属离子的待测物体的参数，其中：所述薄膜晶体管的有源层的载流子迁移率为第一迁移率，所述有源层与所述金属离子包含的金属元素结合后的载流子迁移率为第二迁移率，所述第二迁移率不同于所述第一迁移率。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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