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IGZO薄膜晶体管及改善IGZO薄膜晶体管电学性能的方法
| 专利名称： | IGZO薄膜晶体管及改善IGZO薄膜晶体管电学性能的方法 |
| 摘要： | 本发明提供了一种IGZO薄膜层晶体管及改善IGZO薄膜层晶体管电学性能的方法，包括以下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括一衬底，所述衬底之上部分表面形成有金属栅，所述金属栅及衬底上表面覆盖有一栅氧化层；制备一IGZO薄膜层覆盖于所述栅氧化层上方，刻蚀所述IGZO薄膜层形成有源层和像素电极区，在所述IGZO薄膜层上方依次形成源电极、漏电极和钝化层；其中，在刻蚀所述IGZO薄膜层形成有源层后，采用等离子处理工艺对所述IGZO薄膜层表面进行处理。本发明通过采用含氧等离子体和UV辐射对IGZO薄膜层进行处理，改善IGZO薄膜的氧含量，减少IGZO薄膜与栅氧化层之间晶格缺陷，同时还可消除IGZO薄膜表面的杂质及缺陷，提高器件性能。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 发明人： | 鲁海生 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2014-02-28T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201410073460.7 |
| 公开号： | CN103887344A |
| 代理机构： | 上海申新律师事务所 31272 |
| 代理人： | 吴俊 |
| 分类号： | H01L29/786(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201506 上海市金山区工业区大道100号1幢二楼208室 |
| 主权项： | 一种改善IGZO薄膜晶体管电学性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括一衬底，所述衬底之上部分表面形成有金属栅，所述金属栅及衬底上表面覆盖有一栅氧化层；制备一IGZO薄膜层覆盖于所述栅氧化层上方，刻蚀所述IGZO薄膜层形成有源层和像素电极区，在所述IGZO薄膜层上方依次形成源电极、漏电极和钝化层；其中，在刻蚀所述IGZO薄膜层形成有源层后，采用等离子处理工艺对所述IGZO薄膜层表面进行处理。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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