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原文传递一种测量晶粒尺寸的方法

专利名称：	一种测量晶粒尺寸的方法
摘要：	本发明公开了一种测量晶粒尺寸的方法，包括切割待测硅钢样品，将待测硅钢样品待测面进行机械研磨和抛光，去除因制样导致的应力变形区；用千分尺测量待测硅钢样品的实际厚度；将待测硅钢样品固定在70°预倾斜样品台的xy平面上，并保证待测硅钢样品与所述样品台的导电性；将待测硅钢样品放入扫描电镜样品室中，设置电镜的倾转补偿角为70°；调节电镜参数，在电镜扫描模式下测量待测硅钢样品第一厚度；微调倾转补偿角，测量待测硅钢样品第二厚度，使第二厚度与实际厚度数值之差小于20μm；对样品待测面进行EBSD检测，获得EBSD测量数据；对测量数据进行降噪处理后、计算晶粒尺寸、筛选数据、输出结果。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	河北;13
申请人：	首钢智新迁安电磁材料有限公司;北京首钢股份有限公司
发明人：	刘兆月;王现辉;陈继冬;李瑞凤;王超;刘云霞;柳振方
专利状态：	有效
申请号：	CN201811241087.6
公开号：	CN109254022A
代理机构：	北京华沛德权律师事务所 11302
代理人：	马苗苗
分类号：	G01N23/203(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N23
申请人地址：	064400 河北省唐山市迁安市西部工业区兆安街025号
主权项：	1.一种测量晶粒尺寸的方法，其特征在于，所述方法包括：切割待测硅钢样品，将所述待测硅钢样品待测面进行机械研磨和抛光，去除因制样导致的应力变形区；用千分尺测量所述待测硅钢样品的实际厚度；将所述待测硅钢样品固定在70°预倾斜样品台的xy平面上，并保证所述待测硅钢样品与所述样品台的导电性；将所述待测硅钢样品放入扫描电镜样品室中，设置电镜的倾转补偿角为70°；调节电镜参数，在电镜扫描模式下测量所述待测硅钢样品第一厚度；微调所述倾转补偿角，测量所述待测硅钢样品第二厚度，使所述第二厚度与所述实际厚度数值之差小于20μm；对样品待测面进行EBSD检测，获得EBSD测量数据；对所述EBSD测量数据进行降噪处理后、计算晶粒尺寸、筛选数据、输出结果。
所属类别：	发明专利