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原文传递可达到无穷次疲劳的相变存储器

专利名称：	可达到无穷次疲劳的相变存储器
摘要：	本发明提供一种可达到无穷次疲劳的相变存储器，将Gain单元中的晶体管与相变存储器中的晶体管连接，并与有相变材料的电阻连接。本发明能够在增大驱动电流的同时大大减小串扰电流，达到无穷次的疲劳次数。
专利类型：	发明专利
申请人：	上海新储集成电路有限公司
发明人：	陈邦明;钱晓州
专利状态：	有效
申请日期：	2011-04-27T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201110106568.8
公开号：	CN102290103A
代理机构：	上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257
代理人：	董红曼
分类号：	G11C16/02(2006.01)I
申请人地址：	201506 上海市金山区天工路285弄10号楼东单元
主权项：	一种可达到无穷次疲劳的相变存储器，其特征在于，将Gain单元中的三极管（2）与相变存储器中的晶体管（3）连接，并与有相变材料的电阻（1）连接，使相变存储器的读写达到无穷次数的疲劳。
所属类别：	发明专利