专利名称: | 可达到无穷次疲劳的相变存储器 |
摘要: | 本发明提供一种可达到无穷次疲劳的相变存储器,将Gain单元中的晶体管与相变存储器中的晶体管连接,并与有相变材料的电阻连接。本发明能够在增大驱动电流的同时大大减小串扰电流,达到无穷次的疲劳次数。 |
专利类型: | 发明专利 |
申请人: | 上海新储集成电路有限公司 |
发明人: | 陈邦明;钱晓州 |
专利状态: | 有效 |
申请日期: | 2011-04-27T00:00:00+0800 |
发布日期: | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: | CN201110106568.8 |
公开号: | CN102290103A |
代理机构: | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 |
代理人: | 董红曼 |
分类号: | G11C16/02(2006.01)I |
申请人地址: | 201506 上海市金山区天工路285弄10号楼东单元 |
主权项: | 一种可达到无穷次疲劳的相变存储器,其特征在于,将Gain单元中的三极管(2)与相变存储器中的晶体管(3)连接,并与有相变材料的电阻(1)连接,使相变存储器的读写达到无穷次数的疲劳。 |
所属类别: | 发明专利 |