原文传递
一种相变存储器结构及其制备方法
| 专利名称： | 一种相变存储器结构及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明涉及一种相变存储器结构及其制备方法，制备的相变存储结构包括基底和位于所述基底上的若干相邻的相变存储单元；相变存储单元包括相变材料层、位于相变材料层两侧的第一电介质层、位于相变材料层及其两侧第一电介质层上表面上的上电极层、以及第二电介质层，所述第二电介质层包覆于所述第一电介质层和上电极层外且填充于相邻的相变存储单元之间；相邻两个相变存储单元的第一电介质层之间形成有空气间隔，且所述空气间隔位于第二电介质层之内；所述空气间隔能够增大相变单元间的热阻、减少器件操作中的热损失从而降低操作功耗，同时也可减少存储单元间的热串扰；另一方面具有空气间隔的存储器件可以降低导线间的寄生电容，以提高操作速度。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 发明人： | 闫未霞;王良咏;刘卫丽;宋志棠 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2013-12-11T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201310673872.X |
| 公开号： | CN103682094A |
| 代理机构： | 上海光华专利事务所 31219 |
| 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 分类号： | H01L45/00(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201506 上海市金山区金山工业区天工路285弄2幢 |
| 主权项： | 一种相变存储器结构，包括基底和位于所述基底上的若干相邻的相变存储单元；所述相变存储单元包括相变材料层、位于所述相变材料层两侧的第一电介质层、位于所述相变材料层及其两侧第一电介质层上表面上的上电极层、以及第二电介质层，所述第二电介质层包覆于所述第一电介质层和上电极层外且填充于相邻的相变存储单元之间；相邻两个相变存储单元的第一电介质层之间形成有空气间隔，且所述空气间隔位于第二电介质层之内；所述相变材料层的纵截面为倒梯形；所述上电极层的纵截面为梯形。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
