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原文传递 一种超导相变温度传感器及其制备方法
专利名称: 一种超导相变温度传感器及其制备方法
摘要: 本发明提供的一种超导相变温度传感器及其制备方法,其中所述传感器包括:依次镀在基板上的第一层薄膜和第二层薄膜;第一层薄膜为超导材料;第二层薄膜的宽度与第一层薄膜的宽度的比值沿所述第一层薄膜的长度方向逐渐变化;所述第一层薄膜的厚度与所述第二层薄膜的厚度之和为0.2‑200nm。在所述第二层薄膜的宽度与所述第一层薄膜的宽度的比值的最大处的超导相变温度为第一温度,在所述第二层薄膜的宽度与所述第一层薄膜的宽度的比值的最小处的超导相变温度为第二温度,超导相变温度传感器的最佳工作范围为所述第一温度至所述第二温度。本发明提供的超导相变温度传感器具有较宽的工作范围,使得超导相变温度传感器的适用范围更广泛。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 北京;11
申请人: 中国计量科学研究院
发明人: 甘海勇;徐楠;赫英威;冯国进;吴厚平;林延东
专利状态: 有效
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201810151308.4
公开号: CN108362726A
代理机构: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人: 王莹;吴欢燕
分类号: G01N25/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N25;G01N25/12
申请人地址: 100029 北京市朝阳区北三环东路18号
主权项: 1.一种超导相变温度传感器,其特征在于,包括:依次镀在基板上的第一层薄膜和第二层薄膜;所述第一层薄膜为超导材料;所述第二层薄膜的宽度与所述第一层薄膜的宽度的比值沿所述第一层薄膜的长度方向逐渐变化;所述第一层薄膜的厚度与所述第二层薄膜的厚度之和为0.2‑200nm。
所属类别: 发明专利
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