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一种双轨相变存储器及其制备方法
| 专利名称： | 一种双轨相变存储器及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明提供一种双轨相变储存器，包括下电极、下加热电极、相变材料层和上电极。下电极为栓状，下加热电极、相变材料层和上电极自下而上地设置在下电极上。本发明还提供一种双轨相变储存器的制备方法。本发明储存器的热效率更高、结构新颖，且可控制加热电极材料与相变材料接触面积。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 发明人： | 吴关平;万旭东;陈邦明 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2011-01-06T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201110001523.4 |
| 公开号： | CN102122700A |
| 代理机构： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 |
| 代理人： | 董红曼 |
| 分类号： | H01L45/00(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201506 上海市金山区亭卫公路6505号2栋8号 |
| 主权项： | 一种双轨相变存储器，其特征在于，包括下电极（2）、下加热电极（4）、相变材料层（6）和上电极（7）；所述下电极（2）为栓状，所述下加热电极（4）、相变材料层（6）和上电极（7）自下而上地设置在下电极（2）上；所述下加热电极（4）与相变材料层（6）构成轨道，所述轨道成对出现。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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