原文传递
一种降低硅片表面微划伤的抛光液及其制备和使用方法
| 专利名称： | 一种降低硅片表面微划伤的抛光液及其制备和使用方法 |
| 摘要： | 本发明属于硅片加工中的化学机械抛光领域，涉及降低硅片表面微划伤的抛光液及其制备和使用方法。本发明的抛光液的组分及重量百分含量为：磨料20-40wt%、pH值调节剂5-10wt%、表面活性剂0.04-0.05wt%、氧化剂1-10wt%、螯合剂3-5wt%、余量为水；抛光液中≥0.56微米的大颗粒数为30-150万颗/ml。使用时抛光液与去离子水的稀释质量之比为1:20-30。本发明通过控制抛光液中组分、配比及≥0.56微米的大颗粒数来控制硅片的抛光，在保证硅片抛光速率≥1微米/分钟的情况下，大大降低了硅片抛光后的表面微划伤，即在满足硅片生产率的同时，提高硅片的合格率，降低生产成本。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 上海新安纳电子科技有限公司 |
| 发明人： | 孔慧;刘卫丽;宋志堂;汪海波 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2010-11-22T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201010553543.8 |
| 公开号： | CN102061131A |
| 代理机构： | 上海光华专利事务所 31219 |
| 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 分类号： | C09G1/02(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201506 上海市金山区金山工业区天工路285弄2幢 |
| 主权项： | 一种降低硅片表面微划伤的抛光液，其组分及各组分的重量百分含量为：磨料20?40wt％、pH值调节剂5?10wt％、表面活性剂0.04?0.05wt％、氧化剂1?10wt％、螯合剂3?5wt％、余量为水；所述抛光液中≥0.56μm的大颗粒数为30万颗/ml?150万颗/ml。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
