详情

原文传递硅片表面金属收集方法和控制设备

专利名称：	硅片表面金属收集方法和控制设备
摘要：	本发明提供了一种硅片表面金属收集方法和控制设备，属于半导体技术领域。所述硅片表面扫描方法包括：控制硅片扫描液在硅片表面执行如下运行步骤：直线运动步骤，所述直线运动步骤包括在所述硅片表面上由预设的初始位置点沿直线运动第一位置点；圆周运动步骤，所述圆周运动步骤包括在所述硅片表面上由所述第一位置点沿所述硅片的圆周方向运动至第二位置点；将所述初始位置点更新为所述第二位置点，循环执行所述直线运动步骤和所述圆周运动步骤，直到所述第一位置点与预设的终止位置点重合，扫描完所述硅片表面的预设区域。本发明能够实现除了螺旋扫描方式之外的扫描，丰富硅片表面的扫描方式和扫描区域的形状。
专利类型：	发明专利
申请人：	西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
发明人：	段应娇
专利状态：	有效
申请日期：	2023-08-04T00:00:00+0800
发布日期：	2023-11-07T00:00:00+0800
申请号：	CN202310980216.8
公开号：	CN117007580A
代理机构：	北京银龙知识产权代理有限公司
代理人：	姜精斌
分类号：	G01N21/73;G05D3/10;G01N27/623;G;G01;G05;G01N;G05D;G01N21;G05D3;G01N27;G01N21/73;G05D3/10;G01N27/623
申请人地址：	710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室;
主权项：	1.一种硅片表面金属收集方法，其特征在于，所述方法包括：控制硅片扫描液在硅片表面按照目标步骤运行，完成对所述硅片表面上预设区域的金属收集；其中，所述目标步骤包括：直线运动步骤，所述直线运动步骤包括在所述硅片表面上由预设的初始位置点沿直线运动第一位置点；圆周运动步骤，所述圆周运动步骤包括在所述硅片表面上由所述第一位置点沿所述硅片的圆周方向运动至第二位置点；将所述初始位置点更新为所述第二位置点，循环执行所述直线运动步骤和所述圆周运动步骤，直到所述第一位置点与预设的终止位置点重合，扫描完所述硅片表面的预设区域。 2.根据权利要求1所述的硅片表面金属收集方法，其特征在于，所述初始位置点与所述第一位置点在所述硅片表面上相对于所述硅片的目标直径对称。 3.根据权利要求2所述的硅片表面金属收集方法，其特征在于，在所述硅片表面与所述目标直径平行的方向上，所述第一位置点和所述第二位置点之间间隔预设距离。 4.根据权利要求3所述的硅片表面金属收集方法，其特征在于，所述预设距离等于硅片扫描液滴落在所述硅片表面的直径。 5.根据权利要求1所述的硅片表面金属收集方法，其特征在于，所述直线运动步骤具体包括：在所述硅片表面上由预设的初始位置点朝向预设方向沿直线运动，直到运动至所述第一位置点。 6.根据权利要求1所述的硅片表面金属收集方法，其特征在于，所述圆周运动步骤具体包括：在所述硅片表面上由所述第一位置点朝向预设圆周方向运动，直到运动至所述第二位置点。 7.根据权利要求2所述的硅片表面金属收集方法，其特征在于，在所述预设的初始位置点为所述目标直径的第一端点，所述预设的终止位置点为所述目标直径的第二端点的情况下，所述预设区域为圆形。 8.根据权利要求2所述的硅片表面金属收集方法，其特征在于，在所述预设的初始位置点为所述目标直径的任一端点，所述预设的终止位置点为所述硅片表面上的第一弦的任一端点的情况下，所述预设区域为弓形；其中，所述第一弦为所述硅片表面上与所述目标直径垂直的弦。 9.根据权利要求2所述的硅片表面金属收集方法，其特征在于，在所述预设的初始位置点为所述硅片表面上的第二弦的任一端点，所述预设的终止位置点为所述硅片表面上的第三弦的任一端点的情况下，所述预设区域为由所述第二弦、所述第三弦和所述第二弦与第三弦之间的硅片边缘围设成的区域；其中，所述第二弦为所述硅片表面上与所述目标直径垂直的弦，所述第三弦为所述硅片表面上与所述目标直径垂直的、除所述第二弦之外的弦。 10.一种控制设备，其特征在于，所述控制设备包括处理器、存储器以及存储于所述存储器上并在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至9中任一项所述的硅片表面金属收集方法的步骤。
所属类别：	发明专利