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原文传递硅片表面沾污的检测方法

专利名称：	硅片表面沾污的检测方法
摘要：	本发明涉及一种硅片表面沾污的检测方法，其包括如下步骤：对所述沾污区域进行成分分析以确定所述沾污区域中污染物的元素组成；采集所述沾污区域的红外光谱，将所述沾污区域的红外光谱与标准样品库的红外光谱进行比对。上述硅片表面沾污的检测方法可以综合判断硅片表面沾污区域的污染物具体为何种物质，即结合硅片表面沾污区域的污染物的元素组成以及污染区域的红外光谱与标准图谱比对，综合这两个维度可以定性判断硅片表面沾污区域的污染物的确切成分，进而对于判断沾污源头、排查沾污起因有着重要的意义。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	苏州协鑫光伏科技有限公司
发明人：	吉鑫;阮文娟
专利状态：	有效
申请日期：	2019-03-12T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-21T00:00:00+0800
申请号：	CN201910183016.3
公开号：	CN109781654A
代理机构：	广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人：	林青中;唐清凯
分类号：	G01N21/3563(2014.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	215153 江苏省苏州市高新区五台山路69号
主权项：	1.一种硅片表面沾污的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：对所述沾污区域进行成分分析以确定所述沾污区域中污染物的元素组成；采集所述沾污区域的红外光谱，将所述沾污区域的红外光谱与标准样品的红外光谱进行比对。 2.根据权利要求1所述的硅片表面沾污的检测方法，其特征在于，在对所述沾污区域进行成分分析以确定所述沾污区域中污染物的元素组成的步骤之前，还包括扫描硅片表面的沾污区域以获得所述沾污区域的微观形貌的步骤。 3.根据权利要求2所述的硅片表面沾污的检测方法，其特征在于，在扫描硅片表面的沾污区域以获得所述沾污区域的微观形貌的步骤中，是采用扫描电子显微镜扫描硅片表面的沾污区域。 4.根据权利要求3所述的硅片表面沾污的检测方法，其特征在于，所述扫描电子显微镜扫描所述沾污区域时放大倍数为500倍-2000倍。 5.根据权利要求3所述的硅片表面沾污的检测方法，其特征在于，所述扫描电子显微镜扫描所述沾污区域时电子束加速电压为0.1kV-20kV。 6.根据权利要求1-5任一项所述的硅片表面沾污的检测方法，其特征在于，在对所述沾污区域进行成分分析以确定所述沾污区域中污染物的元素组成的步骤之前，还包括利用红外线检测硅片表面以确定硅片表面的沾污区域的步骤。 7.根据权利要求1-5任一项所述的硅片表面沾污的检测方法，其特征在于，在采集所述沾污区域的红外光谱的步骤中，是采集所述沾污区域的显微红外光谱。 8.根据权利要求7所述的硅片表面沾污的检测方法，其特征在于，在采集所述沾污区域的显微红外光谱的步骤中，采集分辨率为1cm-1-4cm-1。 9.根据权利要求7所述的硅片表面沾污的检测方法，其特征在于，在采集所述沾污区域的显微红外光谱的步骤中，谱图扫描次数为16次-256次。 10.根据权利要求7所述的硅片表面沾污的检测方法，其特征在于，在采集所述沾污区域的显微红外光谱的步骤中，采集光阑区域为100μm×100μm-500μm×500μm。
所属类别：	发明专利