详情

原文传递单晶硅片的制备方法和应用

专利名称：	单晶硅片的制备方法和应用
摘要：	本发明公开了一种单晶硅片的制备方法，其能将单晶硅棒切割出条状直角单晶硅片和单晶硅准方片，或将单晶硅棒切割出条状直角单晶硅片和单晶硅方片，可提高单晶硅棒的利用率。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	常州时创能源科技有限公司
发明人：	孟祥熙;曹育红;陈涛;符黎明
专利状态：	有效
申请日期：	2019-03-04T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-14T00:00:00+0800
申请号：	CN201910159650.3
公开号：	CN109747055A
分类号：	B28D5/00(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号
主权项：	1.单晶硅片的制备方法，用于制备条状直角单晶硅片和单晶硅准方片，或用于制备条状直角单晶硅片和单晶硅方片，其特征在于，包括如下步骤：确定条状直角单晶硅片的长度（a）和宽度（b），以及单晶硅准方片或方片的边长（L），且条状直角单晶硅片的宽度（b）小于单晶硅准方片或方片的边长（L）；确定单晶硅棒的直径（Φ），且单晶硅准方片或方片的边长（L）小于单晶硅棒的直径（Φ）；根据条状直角单晶硅片的长度（a）来确定单晶硅棒的长度（H），使单晶硅棒的长度（H）大于条状直角单晶硅片的长度（a）；按照所确定的单晶硅棒的直径（Φ）和长度（H），制备圆柱形单晶硅棒；将单晶硅棒的头尾两端切除，且单晶硅棒剩余段的长度（h）不小于条状直角单晶硅片的长度（a）；按照所确定的单晶硅准方片或方片的边长（L）对单晶硅棒剩余段进行切方，得到用于制备单晶硅准方片的准方棒或用于制备单晶硅方片的方棒，并得到四个边皮料，该四个边皮料沿单晶硅棒剩余段的长度方向切下，且该四个边皮料与单晶硅棒剩余段等长；各边皮料分别包括：切方所形成的矩形切割面，以及与切割面相背的弧面；以切割面为基准面；以切割面和弧面的结合部为尖角部；将准方棒切片制得单晶硅准方片，或将方棒切片制得单晶硅方片；按照所确定的条状直角单晶硅片的长度（a）将各边皮料截断，每个边皮料至少截得一个边皮料小段，且各边皮料小段上基准面的长度与条状直角单晶硅片的长度（a）一致；将边皮料小段两侧的尖角部切除，得到用于制备条状直角单晶硅片的硅块，且使硅块上基准面的长宽尺寸与条状直角单晶硅片的长宽尺寸一致；沿与硅块上基准面相平行的方向对硅块进行切片，得到条状直角单晶硅片。 2.根据权利要求1所述的单晶硅片的制备方法，其特征在于：以单晶硅准方片或方片的边长（L）与条状直角单晶硅片宽度（b）的比值（L：b）为第一比值；以单晶硅棒的直径（Φ）与条状直角单晶硅片宽度（b）的比值（Φ：b）的比值为第二比值；确定条状直角单晶硅片的宽度（b）以及第一比值和第二比值；第一比值、第二比值都大于1，且第一比值小于第二比值；根据条状直角单晶硅片的宽度（b）以及第一比值来确定单晶硅准方片或方片的边长（L）；根据条状直角单晶硅片的宽度（b）以及第二比值来确定单晶硅棒的直径（Φ）。 3.根据权利要求2所述的单晶硅片的制备方法，其特征在于，以条状直角单晶硅片长度（a）与条状直角单晶硅片宽度（b）的比值（a：b）为第三比值；确定第三比值，根据条状直角单晶硅片的宽度（b）以及第三比值来确定条状直角单晶硅片的长度（a）。 4.根据权利要求2或3所述的单晶硅片的制备方法，其特征在于，先确定第一比值，以及第一比值与第二比值的差值，再根据第一比值以及差值来确定第二比值。 5.根据权利要求2或3所述的单晶硅片的制备方法，其特征在于，先确定第二比值，以及第一比值与第二比值的差值，再根据第二比值以及差值来确定第一比值。 6.根据权利要求1所述的单晶硅片的制备方法，其特征在于，所述将单晶硅棒的头尾两端切除，具体为：将单晶硅棒轴向两端的边缘沿轴向各切除5～100mm。 7.根据权利要求1所述的单晶硅片的制备方法，其特征在于，所述条状直角单晶硅片的宽度（b）为12.5～200mm。 8.根据权利要求1所述的单晶硅片的制备方法，其特征在于，所述条状直角单晶硅片的厚度为50～220um。 9.太阳能电池组件，其特征在于，其采用权利要求1至8中任一项所述制备方法所制得的条状直角单晶硅片。 10.根据权利要求9所述的太阳能电池组件，其特征在于，其采用叠瓦或拼片技术。
所属类别：	发明专利