专利名称: |
单晶硅片的制备方法 |
摘要: |
本发明公开了一种单晶硅片的制备方法,涉及晶体的生长方法技术领域。所述制备方法通过所述单晶硅棒生长装置生长单晶硅棒;通过所述切割装置对所述单晶硅棒进行切割,制备成厚度符合要求的单晶硅片;通过所述裁切装置对所述硅片进行裁切处理,加工出需要的形状;通过所述清洗装置对裁切后的硅片进行清洗,去除硅片表面的杂质;通过所述硅片烘干装置将清洗后的硅片进行烘干处理。所述制备方法能够顺利完成单晶硅片的制备,且系统结构较为简单,制备方便。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
河北;13 |
申请人: |
孟静 |
发明人: |
孟静;王书杰 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810844060.X |
公开号: |
CN108908764A |
分类号: |
B28D5/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;B;C;B28;C30;B28D;C30B;B28D5;C30B29;C30B11;B28D5/00;C30B29/06;C30B11/00 |
申请人地址: |
050000 河北省石家庄市裕华区槐北路416号40栋3单元602号 |
主权项: |
1.一种单晶硅片的制备方法,其特征在于包括如下步骤:通过单晶硅棒生长装置(32)生长单晶硅棒,将所述单晶硅棒取出通过第一传送装置(37)传送给单晶硅棒切割装置(33)进行处理;单晶硅棒切割装置(33)对所述单晶硅棒进行切割,切割成厚度满足需要的单晶硅片,然后将所述单晶硅片通过第二传送装置(38)传送给硅片裁切装置(34)进行处理;硅片裁切装置(34)对所述单晶硅片进行裁切处理,使裁切后的单晶硅片的外形满足需求,然后将裁切后的单晶硅片通过第三传送装置(39)传送给硅片清洗装置(35)进行处理;硅片清洗装置(35)对裁切后的单晶硅片进行清洗处理,以去除单晶硅片表面的杂质,然后将清洗后的单晶硅片通过第四传送装置(40)传送给硅片烘干装置(36)进行处理;硅片烘干装置(36)对清洗后的单晶硅片进行烘干处理,以去除单晶硅片表面残留的水,然后通过硅片烘干装置(36)上的硅片取出装置将烘干后的成品硅片取出,完成单晶硅片的制备。 |
所属类别: |
发明专利 |