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原文传递一种单晶硅片的切割方法

专利名称：	一种单晶硅片的切割方法
摘要：	本发明涉及一种单晶硅片的切割方法，利用切割机对单晶硅锭进行切片加工，切割机包括可移动工作台，在工作台上通过放线轴和收线轴设有切割区，具体步骤：检查并清洗硅锭，设定切割高度；在放线轴和收线轴之间布好金刚线切割线网，金刚线线径为60μm，放线轴丝杠的扭矩为75Nm，设定切割线网的张力8N；设定运行参数：工作台带动工件的运行速度范围、金刚线的运行速度范围；采用双向走线的方式，对硅锭进行切割加工，当切割高度达到75％时，采用单向走线方式继续对硅锭进行切割加工；下料，检查金刚线磨损情况。本发明解决了金刚线过度磨损、短线造成硅块被破坏、硅块浪费的技术问题。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	无锡中环应用材料有限公司
发明人：	张昌银
专利状态：	有效
申请日期：	2019-01-30T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-10T00:00:00+0800
申请号：	CN201910091954.0
公开号：	CN109732796A
代理机构：	无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
代理人：	聂启新
分类号：	B28D5/04(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	214200 江苏省无锡市宜兴经济开发区东氿大道
主权项：	1.一种单晶硅片的切割方法，利用切割机对单晶硅锭进行切片加工，切割机包括可移动工作台，在工作台上通过放线轴和收线轴设有切割区，其特征在于：具体包括如下步骤：第一步：检查并清洗硅锭，设定切割高度为160-200mm；第二步：在放线轴和收线轴之间布好金刚线切割线网，放线轴丝杠的扭矩为75Nm，设定切割线网的张力8-10N；第三步：设定运行参数：工作台带动工件的运行速度范围为500um/min-2500um/min，金刚线的运行速度范围为670m/min-1800m/min；第四步：采用双向走线的方式，对硅锭进行切割加工，当切割高度达到75％时，采用单向走线方式继续对硅锭进行切割加工；第五步：下料，检查金刚线磨损情况。 2.如权利要求1所述的一种单晶硅片的切割方法，其特征在于：工作台带动工件的运行速度具体为：起始加工阶段工件运动速度2000um/min，双向走线过程中工件运动速度为2500um/min，单向走线过程中工件运动速度1500mm/min。 3.如权利要求2所述的一种单晶硅片的切割方法，其特征在于：金刚线的运行速度具体为：起始加工阶段金刚线运动速度为600m/min，双向走线过程中金刚线运动速度为1600m/min，单向走线过程中金刚线运动速度为1400m/min。 4.如权利要求1所述的一种单晶硅片的切割方法，其特征在于：双向走线过程中，送线总长度等于返线总长度，单向走线过程中，送线总长度为返线总长度的105％-110％。 5.如权利要求1所述的一种单晶硅片的切割方法，其特征在于：所述切割高度为180mm。 6.如权利要求1所述的一种单晶硅片的切割方法，其特征在于：所述金刚线线径为60μm。
所属类别：	发明专利