原文传递
太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法
| 专利名称： | 太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法 |
| 摘要： | 本发明提供一种太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法，具体包括粘棒工艺：首先清洁单晶硅棒粘接面，然后用胶水分别粘接定位条和玻璃、玻璃和单晶硅棒，粘棒之后要进行压棒，压好后继续粘接下一套棒；配浆工艺：a.配浆之前要把所需配的碳化硅微粉放入烘箱烘烤，温度设定在70～80℃，在配浆前取出冷却；b.配置浆料的时候，将碳化硅微粉慢慢倒入砂浆搅拌桶，一般控制在3min左右一袋，并充分搅拌均匀；线切割工艺：镀铜切割线的直径为0.1mm，并且线速度在9.3～10.5m/s，工件的进给速度不超过0.3mm/s，砂浆的流量不超过3100L/h。本工艺可以使切割硅片中心厚度达到180mm，每公斤出片率可以提高到78.4片/kg，如采用传统切割方法，出片率最高达到75.9片/kg，采用本工艺方法后出片率将提高3.3％。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 四川;51 |
| 申请人： | 四川高铭科技有限公司 |
| 发明人： | 韩勇 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2017-11-28T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-06-04T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201711213674.X |
| 公开号： | CN109834859A |
| 分类号： | B28D5/04(2006.01);B;B28;B28D;B28D5 |
| 申请人地址： | 625000 四川省雅安市名山经济开发区 |
| 主权项： | 1.一种太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法，具体包括粘棒工艺、配浆工艺、线切割工艺： 粘棒工艺：首先清洁单晶硅棒粘接面，然后用胶水分别粘接定位条和玻璃、玻璃和单晶硅棒，粘棒之后要进行压棒，压好后继续粘接下一套棒； 配浆工艺：a、配浆之前要把所需配的碳化硅微粉放入烘箱内至少8个小时，温度设定在70～80℃，至少在配浆前1小时取出冷却； b、配置浆料的时候，将碳化硅微粉慢慢倒入砂浆搅拌桶并充分搅拌均匀； 线切割工艺：镀铜切割线的直径为0.1mm，并且线速度在9.3～10.5m/s，工件的进给速度不超过0.3mm/s，砂浆的流量不超过3100L/h。 2.根据权利要求1所述的太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法，其特征在于，所述粘棒工艺中，胶水按照1:1的比例进行调配，并且调胶的速度不超过3分钟。 3.根据权利要求1所述的太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法，其特征在于，粘棒之后采用10kg左右的重物进行压棒，持续至少6小时。 4.根据权利要求1所述的太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法，其特征在于，所述的配浆工艺中，配浆用的切削液，要保存于环境温度为23℃～27℃范围内、湿度控制在60％以内，粘度在26～30范围内。 5.根据权利要求1或4所述的太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法，其特征在于，所述的配浆工艺中，配好的浆料必须存放于环境温度在23℃～27℃、湿度在60％的范围内，密度控制在1.625～1.635范围内，粘度在40～60范围内。 6.根据权利要求1所述的太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法，其特征在于，配浆的比例控制在砂:液＝1:0.92。 7.根据权利要求6所述的太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法，其特征在于，配浆的比例控制在砂:液＝1:0.92。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
