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一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法
| 专利名称： | 一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法，所述方法包括如下步骤：先清洗机台并设定切割高度，再布置线网同时设置运行参数，采用反向走线的方式，对硅锭进行切割加工，当切割高度达到设定高度的30％时，再采用正向走线的方式继续对硅锭进行切割加工，直至切割完成，取下硅锭。本发明的切割方法通过改变切割过程中不同阶段的金刚线走线方式，有效平衡了送返线比例和金刚线磨损度之间的关系，既保证了送返线之间比例，确保金刚线磨损均匀，又保证了切割的后半程硅锭能够被完全切透，从而有效的控制住了TTV，提升了良品率。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 江苏;32 |
| 申请人： | 江苏高照新能源发展有限公司 |
| 发明人： | 王嘉;周炎 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-08-07T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-11-26T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910724703.1 |
| 公开号： | CN110497544A |
| 代理机构： | 南京经纬专利商标代理有限公司 |
| 代理人： | 楼高潮 |
| 分类号： | B28D5/04(2006.01);B;B28;B28D;B28D5 |
| 申请人地址： | 212215 江苏省镇江市扬中经济开发区港隆路968号 |
| 主权项： | 1.一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1)清洗机台：清洗金刚线切割机的工作台，检查并清洁预处理的硅锭，设定切割高度； 步骤2)布置线网：在放线轴和收线轴之间布置好金刚线切割线网； 步骤3)设定运行参数：在切割过程中，所述工作台带动工件的运行速度为500～2300μm/min，所述金刚线的线速度为800～1380m/min； 步骤4)切割硅锭：先采用反向走线的方式，对所述硅锭进行切割加工，当切割高度达到设定高度的30％时，再采用正向走线的方式继续对硅锭进行切割加工，直至切割完成，取下硅锭。 2.根据权利要求1所述的一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法，其特征在于，步骤1)所述切割高度为164.5mm。 3.根据权利要求1所述的一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法，其特征在于，步骤2)所述放线轴和收线轴的丝杠的扭矩为85～90 N·m。 4.根据权利要求1所述的一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法，其特征在于，步骤2)所述金刚线的切割张力为7～9 N。 5.根据权利要求1所述的一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法，其特征在于，步骤2)所述金刚线的线径为55±2μm。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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