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一种实现高电压集成CMOS器件的器件结构和制备方法
| 专利名称： | 一种实现高电压集成CMOS器件的器件结构和制备方法 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件制作技术领域，具体涉及一种实现高电压集成CMOS器件的器件结构和制备方法，本发明通过深沟槽刻蚀工艺形成一种CMOS器件结构，实现了在先进工艺下无法实现高压驱动晶体管的难题，利用深沟槽隔离工艺实现立体栅结构晶体管，在先进工艺下增加了晶体管的实际沟道长度和栅绝缘层厚度，从而使晶体管能够在较高电压下正常工作，增强其电压驱动能力。本发明利用深沟槽隔离工艺实现高压CMOS器件的方法兼容标准CMOS工艺，工艺步骤简单，成本较低，面积小，可实现先进CMOS工艺集成高电压驱动的功能。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 发明人： | 景蔚亮;陈邦明 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2015-06-15T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201510332958.5 |
| 公开号： | CN105097697A |
| 代理机构： | 上海申新律师事务所 31272 |
| 代理人： | 吴俊 |
| 分类号： | H01L21/8238(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201506 上海市金山区亭卫公路6505号2幢8号 |
| 主权项： | 一种实现高电压集成CMOS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：于外延层区域形成深沟槽；于深沟槽的底部和侧壁以及CMOS器件的上表面沉积一栅氧化层；沉积有栅氧化层的深沟槽中填充多晶硅，并同时于CMOS器件上表面的栅氧化层的表面沉积一多晶硅层；平坦化处理所述多晶硅层的上表面；于多晶硅层的平坦化后的上表面附着一多晶硅氧化层；进行源漏区的离子注入，形成源极和漏极；于栅极、源极和漏极形成金属引脚，形成CMOS器件。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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