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微结构超饱和掺杂硅基气敏元件及制备方法
| 专利名称： | 微结构超饱和掺杂硅基气敏元件及制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了微结构超饱和掺杂硅基气敏元件及制备方法。通过本发明的方法制备的气敏元件可以在室温下工作，不需要额外的加热电路。作为气敏层的微结构超饱和掺杂硅可以形成具有较大比表面积的结构，增加了气体吸附的面积，有利于气体传感；可以通过掺杂元素种类和浓度的改变来改善气敏特性。所制备的硅基气敏元件，可以在室温下检测有害气体比如氨气和二氧化氮，具有响应速度快、气体选择性好等特点。由于微构造和掺杂后的硅表面有大量杂质和缺陷，因此容易电极薄膜层形成欧姆接触，避免电极于材料之间的接触电阻变化带来的不稳定性。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 复旦大学 |
| 发明人： | 赵利;庄军;刘晓龙;朱苏皖 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810658392.9 |
| 公开号： | CN108548851A |
| 代理机构： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 |
| 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/12 |
| 申请人地址： | 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 |
| 主权项： | 1. 一种微结构超饱和掺杂硅基气敏元件，其特征在于，为三层结构，由下往上依次为 ：硅基底、微结构和掺杂气敏层、电极薄膜层；其中，所述微结构和掺杂气敏层由飞秒激光烧蚀硅基底而形成，该微结构和掺杂气敏层表面有增加吸附面积的微结构形貌，以及能改变表面化学特性的掺杂层。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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