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等离子体气体传感器及其制造方法
| 专利名称： | 等离子体气体传感器及其制造方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体气体传感器及其制造方法，该气体传感器包括基底、绝缘层、形成在基底上的针状结构阵列以及对电极，其中对电极设置在针状结构上方，由绝缘层隔离并形成气体放电空间，针状结构阵列的若干针状结构的顶端与金属颗粒形成异质结结构。该结构充分利用了对电极、针状结构、绝缘层间隙构成的微观尺度体系，其中针状结构和和对电极体现出了电场集聚效应，纳米级的放电空间提高了气体放电产生的电荷传导效率，促进了气体传感信号的采集。该等离子体气体传感器巧妙地实现了等离子体发生所需的局部强电场，利用了传输过程中的小尺度优势，达到了器件微型化、工作电压低、功耗低等技术效果。该结构的制造方法耗材少、结构利用率高，达到了高效率、节省、精准的微加工效果。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 上海交通大学 |
| 发明人： | 刘海;侯中宇 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810231740.4 |
| 公开号： | CN108548864A |
| 代理机构： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 |
| 代理人： | 王慧娟;胡晶 |
| 分类号： | G01N27/70(2006.01)I;G01N27/62(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/70;G01N27/62 |
| 申请人地址： | 200240 上海市闵行区东川路800号 |
| 主权项： | 1.一种等离子体气体传感器，其特征在于，包括：基底；针状结构阵列，由所述基底的特定区域进行刻蚀形成,所述针状结构阵列包括若干针状结构，且所述若干针状结构的顶端与金属颗粒形成异质结结构；绝缘层，形成在所述特定区域外的所述基底上；对电极，设置在所述针状结构阵列的上方，且由所述绝缘层支撑。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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