专利名称: |
一种压电型氢气传感器及其制备方法和应用 |
摘要: |
本发明公开了一种压电型氢气传感器,包括封装壳体和氢气传感器压电芯片,其特征在于:氢气传感器压电芯片由金属钯薄膜、导电衬底和ZnO纳米材料阵列组成,氢气传感器压电芯片设置在封装壳体内部,所述封装壳体顶部和底部装配有两个金电极,两个金电极分别与氢气传感器压电芯片的导电衬底和金属钯薄膜导通,封装壳体两侧有透气孔。本发明的压电型氢气传感器,是一种本质安全型无源器件;工作时不需要外接电源输入,可直接对外输出可测量的电压信号,实现氢气含量的检测;成本低,与现有MEMS工艺兼容,可批量生产。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
四川;51 |
申请人: |
中国工程物理研究院化工材料研究所 |
发明人: |
田先清;王新锋;余堃 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810718269.1 |
公开号: |
CN108872314A |
代理机构: |
四川省成都市天策商标专利事务所 51213 |
代理人: |
刘兴亮;吴瑞芳 |
分类号: |
G01N27/00(2006.01)I;C23C18/12(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I;G;C;G01;C23;G01N;C23C;G01N27;C23C18;C23C14;C23C28;G01N27/00;C23C18/12;C23C14/18;C23C28/00 |
申请人地址: |
621000 四川省绵阳市绵山路64号 |
主权项: |
1.一种压电型氢气传感器,包括封装壳体和氢气传感器压电芯片,其特征在于:氢气传感器压电芯片由金属钯薄膜、导电衬底和ZnO纳米材料阵列组成,氢气传感器压电芯片设置在封装壳体内部,所述封装壳体顶部和底部装配有两个金电极,两个金电极分别与氢气传感器压电芯片的导电衬底和金属钯薄膜导通,封装壳体两侧有透气孔。 |
所属类别: |
发明专利 |