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一种基于洛伦兹力的缺陷检测方法
| 专利名称： | 一种基于洛伦兹力的缺陷检测方法 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于洛伦兹力的缺陷检测方法，方法包括：在箔材待测试样的一侧设置一小永磁体，箔材待测试样处于小永磁体形成的电磁敏感区内，箔材待测试样与小永磁体的距离为L；将小永磁体与测力传感器相连接；将一无针孔的箔材标准试样与小永磁体之间进行相对运动，通过测力传感器测得小永磁体受到的第一反作用力将箔材待测试样中针孔部位经过小永磁体的电磁敏感区时，通过测力传感器测得小永磁体受到的第二反作用力；得到第二反作用力与第一反作用力的反作用力变化量，通过反作用力变化量的处理得到箔材待测试样中的针孔信息。本发明的一种基于洛伦兹力的缺陷检测方法，测量过程简单，准确度高。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 中国科学院大学 |
| 发明人： | 王晓东;代尚军 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810693390.3 |
| 公开号： | CN108872364A |
| 代理机构： | 北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11539 |
| 代理人： | 李楠 |
| 分类号： | G01N27/90(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/90 |
| 申请人地址： | 100049 北京市石景山区玉泉路19号（甲） |
| 主权项： | 1.一种基于洛伦兹力的缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1，在箔材待测试样的一侧设置一小永磁体，所述箔材待测试样处于小永磁体形成的电磁敏感区内，所述箔材待测试样与所述小永磁体的距离为L；步骤2，将所述小永磁体与测力传感器相连接；步骤3，将一无针孔的箔材标准试样与所述小永磁体之间进行相对运动，通过所述测力传感器测得所述小永磁体受到的第一反作用力；步骤4，将所述箔材待测试样中针孔部位经过所述小永磁体的电磁敏感区时，通过所述测力传感器测得所述小永磁体受到的第二反作用力；得到所述第二反作用力与所述第一反作用力的反作用力变化量，通过所述反作用力变化量的处理得到所述箔材待测试样中的针孔信息。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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