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基于扫描电镜的元素晶界偏析半定量方法
| 专利名称： | 基于扫描电镜的元素晶界偏析半定量方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于扫描电镜的元素晶界偏析半定量方法，该方法包括样品制备、并在晶界处进行能谱分析，根据公示 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 上海大学 |
| 发明人： | 邢娟娟;梅静;顾辉;胡冬力;姜颖;胡添翼 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810292995.1 |
| 公开号： | CN108572187A |
| 代理机构： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 |
| 代理人： | 顾勇华 |
| 分类号： | G01N23/2202(2018.01)I;G01N23/2251(2018.01)I;G;G01;G01N;G01N23;G01N23/2202;G01N23/2251 |
| 申请人地址： | 200444 上海市宝山区上大路99号 |
| 主权项： | 1.一种基于扫描电镜的元素晶界偏析半定量方法，其特征在于，包括如下步骤：a.样品制备：首先将材料样品切成小块，然后依次在粒度为6μm、3μm、1μm以及0.5μm的金刚石砂纸上将样品表面研磨、抛光，最终抛光成镜面，在放入SEM样品仓前对样品进行等离子清洗，去除材料样品的表面污染，得到洁净的试样；b.晶界处的能谱半定量分析：通过SEM配备的EDS在晶界上收集能谱，将在所述步骤a中制备好的试样用银浆固定于SEM样品台，调整如下测试参数：光阑选择直径大小为30um的常用光阑，加速电压选择15kev，工作距离设置在10mm，处理时间设置为相同的模式，并选择EDS的线分析模式，对试样晶界处进行线数据分析；c.元素偏析量计算：根据在所述步骤b中得到的晶界处的能谱半定量分析数据，从晶界能谱中扣除晶粒的贡献后，并通过Cliff‑Lorimer方程计算获得晶界处的化学成分信息，以元素在晶界处的偏析量用Г表示，偏析量用单位为atoms/nm2，预先设定试样的待测元素在晶界处的偏析量用Гi，计算式如下： |
| 所属类别： | 发明专利 |
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