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原文传递硅晶材检测方法及其检测装置

专利名称：	硅晶材检测方法及其检测装置
摘要：	一种硅晶材检测方法，包含准备步骤及检测步骤。所述准备步骤是准备检测装置，所述检测装置包括载台、激光光源，及光接收器，将待检测的硅晶材设置于所述载台上。所述检测步骤是将所述激光光源以预定波长沿所述硅晶材的至少一预定路径照射所述硅晶材的表面，使所述硅晶材沿所述预定路径产生多个被所述激光光源激发的光致萤光，所述光接收器可接收所述光致萤光并产生多个对应的光致萤光讯号。以所述激光光源沿所述硅晶材的所述预定路径照射，产生多个光致萤光，并得到多个对应所述预定路径的光致萤光光谱，从而可以用来回推得知所述硅晶材的萤光强度分布，能快速得知所述硅晶材的质量。此外，本发明还提供一种硅晶材检测装置。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	中国台湾;71
申请人：	友达晶材股份有限公司
发明人：	陈宥菘;侯语辰;李立婷
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201711187340.X
公开号：	CN108132234A
代理机构：	北京泰吉知识产权代理有限公司 11355
代理人：	张雅军;孙金瑞
分类号：	G01N21/64(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;G;H;G01;H01;G01N;H01L;G01N21;H01L21;G01N21/64;H01L21/66
申请人地址：	中国台湾台中市
主权项：	一种硅晶材检测方法，包含：准备步骤，及检测步骤；其特征在于：所述准备步骤是准备检测装置，所述检测装置包括载台、激光光源，及光接收器，将待检测的硅晶材设置于所述载台上；及所述检测步骤是将所述激光光源以预定波长沿所述硅晶材的至少一预定路径照射所述硅晶材的表面，使所述硅晶材沿该至少一预定路径产生多个被所述激光光源激发的光致萤光，所述光接收器可接收所述光致萤光并产生多个对应的光致萤光讯号。
所属类别：	发明专利