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一种石墨烯晶体管离子传感器及其制备方法和应用
| 专利名称： | 一种石墨烯晶体管离子传感器及其制备方法和应用 |
| 摘要： | 本发明提供了一种石墨烯晶体管离子传感器，包括衬底和设置于所述衬底上的栅极、源极和漏极；所述源极和漏极之间设置有石墨烯沟道；所述栅极表面固定有碳点。本发明将碳点固定在石墨烯晶体管栅电极表面，碳点能够吸附溶液中的铁离子，从而改变晶体管与样本溶液之间的双电层界面特性，使石墨烯沟道中的电流发生变化，通过检测沟道中的电流变化，可以检测溶液中的微量铁离子；本发明提供的石墨烯晶体管离子传感器的操作电压低于1V，铁离子的最低检测限能够达到10‑16M，且改变铁离子浓度后，传感器的电流即时发生变化，灵敏度非常高。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖北;42 |
| 申请人： | 湖北大学 |
| 发明人： | 李金华;范钦;李珊珊;黄康;王贤保 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810496750.0 |
| 公开号： | CN108918634A |
| 代理机构： | 北京高沃律师事务所 11569 |
| 代理人： | 刘奇 |
| 分类号： | G01N27/414(2006.01)I;G01N27/333(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/414;G01N27/333 |
| 申请人地址： | 430000 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号 |
| 主权项： | 1.一种石墨烯晶体管离子传感器，包括衬底和设置于所述衬底上的栅极、源极和漏极；所述源极和漏极之间设置有石墨烯沟道；所述栅极表面固定有碳点。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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