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一种石墨烯晶体管铅离子传感器传感及其制备方法
| 专利名称： | 一种石墨烯晶体管铅离子传感器传感及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明提供了一种石墨烯晶体管铅离子传感器，包括衬底和设置于所述衬底上的栅极、源极和漏极；所述源极和漏极之间设置有石墨烯沟道；所述栅极表修饰谷胱甘肽分子。本发明探针谷胱甘肽固定在石墨烯晶体管栅电极表面，谷胱甘肽能够与溶液中的铅离子络合，从而改变晶体管与样本溶液之间的双电层界面特性，使石墨烯沟道中的电流发生化，通过检测沟道中的电流变化，可以检测溶液中的微量铅离子；本发明提供的石墨烯晶体管离子传感器固定漏极电压，改变栅极电压，铅离子的最低检测限能够达到10‑18M，且不同的铅离子浓度，传感器的电流即时发生变化，具有十分高的灵敏。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖北;42 |
| 申请人： | 湖北大学 |
| 发明人： | 李金华;肖碧晨;王贤保 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2020-09-14T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2022-03-15T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN202010965017.6 |
| 公开号： | CN114184663A |
| 分类号： | G01N27/414;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/414 |
| 申请人地址： | 430063 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号 |
| 主权项： | 1.一种石墨烯晶体管离子传感器，包括衬底和设置于所述衬底上的栅极、源极和漏极；所述源极和漏极之间设置有石墨烯沟道；所述栅极表面修饰可检测离子的分子探针。 2.根据权利要求1所述的石墨烯晶体管离子传感器，其特征在于检测原理是铅离子被谷胱甘肽分子探针捕获，会进而导致沟道电流变化，实现传感。 3.权利要求1～2任意一项所述石墨烯晶体管离子传感器或石墨烯晶体管离子传感器在铅离子检测中的应用。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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